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氮化镓沦为了某些人骗取资金的棋子?近期氮化镓签约/建设项目一览

2023-10-12 21:10| 来源: 网络整理| 查看: 265

氮化镓沦为了某些人骗取资金的棋子?近期氮化镓签约/建设项目一览

以下文章来源于半导体前沿 ,作者亚化咨询

半导体前沿

半导体与材料:集成电路 (IC)、大硅片、晶圆制造、先进封装;市场、项目、技术、设备、产业园区。

中国裁判文书网4月13日发布《张清、袁征宇非法吸收公众存款一审刑事判决书》。判决书显示,2015年8月成立的江苏省南京市玄武区人民检察院自成立后,招募多名业务员,采取打电话、口口相传等方式,以公司研制氮化镓项目需要资金为由,在未经中国人民银行批准的情况下,以高额利息为诱饵,向社会公众募集资金,约定到期还本付息。2015年至2018年期间,被告人张清、袁征宇均系公司实际负责人,安排公司业务员采取上述方式向高某、赵某等102名集资参与人吸收存款合计人民币4100余万元。

2020年3月12日,《“十四五”规划和2035年远景目标纲要》发布,其中“集成电路领域”重点提到碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体发展。随着国家层面的重视,第三代半导体行业越发火热。越来越多的中国企业投资建设了第三代半导体相关项目,在密集投资中也难免会有如“德淮”、“武汉弘芯”这样企业的出现。

亚化咨询《第三代半导体SiC/GaN年度报告》中显示,2020年底至今,多家企业签约或投资建设氮化硅材料或器件项目:

赛微电子6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目

2021年4月1日,赛微电子发布公告,已与青州市人民政府签署了《合作协议》,共同推荐6-8英寸硅基氮化镓功率器件半导体制造项目的建设,将在租赁现成土地厂房的基础上进行适应性补充建设,且已经锁定成套热线设备,目标在2021年内建成并做好投产准备,2022年上半年投产。一期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆5000片/月的生产能力,二期建成投产后将形成6-8英寸GaN芯片晶圆12000片/月的生产能力。据了解,赛微电子已于 2018 年 7 月在青岛市崂山区投资设立“青岛聚能创芯微电子有限公司”,主要从事功率与微波器件,尤其是GaN功率与微波器件的设计、开发;已于2018年6月在青岛市即墨区投资设立“聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司”,主要从事氮化镓外延材料的设计、开发、生产,该公司投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已于2019年9月达到投产条件,正式投产。截至目前,赛微电子在6-8英寸硅基GaN外延晶圆、GaN功率器件及应用方面已形成系列产品并实现批量销售。

立昂微电子微波射频集成电路芯片项目

立昂微电子2021年1月4日公告,与浙江省海宁市人民政府、浙江省海宁经济开发区管理委员会于2020年12月24日在浙江海宁市签订《关于微波射频集成电路芯片项目投资协议书》,项目总投资约43亿元人民币,其中设备投资36.05亿元,将建设年产36万片6英寸GaAs/GaN微波射频集成电路芯片。其中包括年产18万片GaAs HBT和pHEMT芯片,年产12万片VCSEL芯片,年产6万片氮化镓HEMT芯片。

江苏能华微电子科技氮化镓器件封装项目

济阳圈2月消息,2月7日济阳区举行2021年春季重点项目集中签约仪式活动,其中包括江苏能华微电子科技氮化镓器件封装项目,项目计划总投资2.4亿元,建设以Die Bond、Wire Bond、Dicing Saw等设备为主的封装测试线,采用DFN、QFN类扁平封装形式,结合PCB工艺采用埋入式封装、芯片级封装等多种方式,搭建氮化镓功率器件从研发生产至封装的完整产线,实现氮化镓功率器件的规模化生产。

苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目

苏州工业园区管理委员会官网显示,2021年3月,苏州晶湛半导体有限公司新建氮化镓外延片生产扩建项目环境影响评价进行第一次公示。据悉,苏州晶湛半导体拟租用苏州纳米科技发展有限公司位于苏州纳米城西北区19栋的厂房,从事氮化镓电子材料和光电材料的研发。本次项目拟投资2.5亿元,建成后年产氮化镓外延片产品50万片。

聚力成半导体(盐城)有限公司第三代半导体氮化镓外延片制造产业链项目

聚力成半导体(盐城)有限公司第三代半导体氮化镓外延片制造产业链项目2021年一月进行环评公示。该项目计划新上一条氮化镓外延生产线和一条氮化镓晶圆薄化生产线。项目计划购置金属有机化合物化学气相沉积设备、高温烤炉、蒸镀机等主要生产设备弓116台套。项目建成后将形成年产6英寸氮化镓外延片12万片和氮化镓晶圆超薄化120um制程36万片的生产能力。

纳维科技氮化镓单晶衬底研发基地与高端产品生产基地项目

1月24日,苏州纳维科技有限公司(以下简称“苏州纳维科技”)在园区举行总部大楼奠基仪式。该项目位于苏州纳米城,总用地面积14000平方米,总建筑面积约34000平方米,将建设氮化镓(GaN)单晶衬底研发基地与高端产品生产基地,预计年产氮化镓单晶衬底及外延片5万片。

上海芯元基半导体科技有限公司第三代半导体氮化镓项目

2020年11月,上海芯元基半导体科技有限公司第三代半导体氮化镓项目正式签约落户安徽池州市高新区。据池州日报报道,该UVA及DPSS项目总投资6亿元,规划用地约100亩,分两期建设:其中一期投资2亿元,打造一条GaN基DPSS衬底生产线,一条UVA365nm芯片生产线,并建设配套设施等;二期投资4亿元,建设行政、生产一体化厂房及配套,计划于2023年6月前实现年度销售收入不低于1亿元。

徐州致能半导体有限公司氮化镓芯片研发与产业化项目

徐州致能半导体有限公司氮化镓芯片研发与产业化项目计划投资预计约1.8亿元,将建设氮化镓功率器件生产线,一期规划月产能4500片6寸晶圆,二期规划月产能1.5万片6寸晶圆,项目周期为2021年2月至2021年12月,项目目前似乎已经在建设中。

第三代半导体技术、材料、设备与市场论坛2021将于6月23-24日在长沙召开。会议将探讨全球与中国第三代半导体市场及产业发展机遇,中国第三代半导体产业政策与项目规划,芯片产能供需与第三代半导体市场,第三代半导体技术发展趋势,SiC PVT长晶技术&液相法的现状及发展,新基建相关产业对第三代半导体的需求,SiC市场以及技术发展难题&解决方案,GaN射频器件及模块在5G基站方面的应用等。

如果您有意向做演讲报告或赞助或参会,欢迎您尽快与我们联系:

陈经理18930537136(微信同号),[email protected]

首届中国汽车半导体产业链论坛将于2021年6月24-25日在长沙召开。会议将由亚化咨询主办,探讨全球与中国汽车半导体供需现状和展望,汽车半导体产业链政策,国内大厂产能现状与扩能计划,芯片缺货关键原因分析和解决方案,新能源和智能汽车发展趋势以及对汽车半导体的需求,车规级芯片的认证与发展趋势,上游材料和设备产业配套,汽车半导体项目投融资机遇等话题。

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