过饱和

对于有机结晶系统而言，生长级数值通常介于 1 和 2 之间，成核级数值通常介于 5 和 10 之间。 我们在有机结晶过程中推算这些公式时，过饱和度的重要性变得显而易见。 在饱和度较低时，晶体生长快于成核，结果导致更大的晶体尺寸分布。 然而，在饱和度较高时，晶体成核优先于晶体生长，较终使晶体尺寸变小。 在该图的右侧，显示了过饱和度与成核、生长及晶体尺寸之间的关系，明确表明了在形成所需尺寸和分布的晶体时，如何控制过饱和度是非常重要的。

Barett 等人（化学工程研究与设计，第 88 卷，第 8 期，2010 年 8 月，第 1108 至 1119 页）此处概括的如 ReactIR 等现代技术，快速轻松地追踪溶解度曲线，并在整个结晶实验期间连续监测过饱和程度。 更快的冷却速率可导致低温下成核和整个过程较高的过饱和度。 非常缓慢的冷却过程会导致整个过程更高的成核温度和低过饱和度。 一小时三阶段冷却（开始缓慢，较后快速）在整个过程中产生中等程度的过饱和度。 通过比较每次实验的 ParticleView（一种基于探头的显微镜）图像，可以清晰地观察到过饱和度对各种晶体尺寸和外形分布的影响。 高过饱和度会导致较小的晶体尺寸 – 因为成核优先于生长。