酷睿I3

电脑的配置处理器型：酷睿I3-530M标配内存：2.93G 32nm是CPU构架的一种是全球首款32nm CPU!主流级酷睿i3 530首测

32nm cpu 指尺寸规格为32纳米的CPU nm是长度单位即纳米 1米的10负9次方现在Pentium CPU的制造工艺是0.35微米， PII和赛扬可以达到0.25微米，最新的CPU制造工艺可以达到0.18微米，并且将采用铜配线技术，可以极大地提高CPU的集成度和工作频率,现在很多笔记本的CPU已经采用了65nm的生厂工艺了，在不久的将来，45nm,32nm,甚至更小尺寸的CPU规格将诞生出来。

两种相比较而言14纳米的好一些。纳米是指CPU或GPU的制造过程，或晶体管栅极电路的尺寸，单位为纳米。14纳米和32纳米之间的区别如下： 区别一：不同的制造工艺。制造工艺，代度表集成电路规模。在相同的芯片面积下，用14nm工艺描述的电路自然比32nm复杂。 区别二：不同的功耗 英特尔的14nm处理器是第五代Broadwell和第六代skylake。与Haswell和32nm工艺相比，其性能提高了10％，功耗进一步降低。工艺越小，功耗越低。 区别三：不同的表现。 更先进的制造技术可以安装更多的晶体管，大大提高性能。CPU制造过程又称为CPU过程，其先进性决定了CPU的性能。 觉得有用点个赞吧 相关问题

客观来说，32nm相对于45nm的优势在于功耗和发热量。在相同的性能下，32nm的发热量和功耗都比45nm低。相反，在相同的功率下，32nm能够提供比45nm更好的性能。再加上英特尔和AMD都针对32nm开发了新的CPU架构。这一性能差距就变得更明显。当然,CPU性能不仅仅是靠制程来决定。还包括线程设计、核心架构、总线频率、主频、缓存大小等因素

简单来说就是CPU的制造工艺，32nm是CPU里面晶体管的尺寸，制造工艺越小在通过晶圆内能容纳的晶体管个数就越多，对应的CPU性能就越好，不过目前的制造工艺来说晶体管尺寸是有极限的，不会无限制的小下去，目前在大规模商用的最小尺寸是14NM技术

指令集是指电脑的处理器在处理不同数据时用到的运算方式，AVX指虚拟化技术，64BIT指处理器在硬件上是64位的CPU，可以安装64位操作系统，32nm指这款处理器是使用32纳米的制作技术生产的。

32纳米制成技术是基于45纳米技术的改良版本，总体归纳起来组要有以下三点。 1：32纳米制程技术的基础是第二代高k+金属栅极晶体管。英特尔对第一代高k+金属栅极晶体管进行了众多改进。在45纳米制程中，高k电介质的等效氧化层厚度为1.0纳米。而在32纳米制程中，由于在关键层上首次使用沉浸式光刻技术，所以此氧化层的厚度仅为0.9纳米，而栅极长度则缩短为30纳米。晶体管的栅极间距每两年缩小0.7倍——32纳米制程采用了业内最紧凑的栅极间距（ 第一代32nm技术将使112.5nm栅极间距 ）。32纳米制程采用了与英特尔45纳米制程一样的置换金属栅极工艺流程，这样有利于英特尔充分利用现有的成功工艺。这些改进对于缩小集成电路（IC）尺寸、提高晶体管的性能至关重要。采用高k+金属栅极晶体管的32纳米制程技术可以帮助设计人员同时优化电路的尺寸和性能。由于氧化层厚度减小，栅极长度缩短，晶体管的性能可以提高22%以上。这些晶体管的驱动电流和栅极长度创造了业内最佳纪录。英特尔的第一颗32纳米 SRAM芯片在2007年9月就已经完成，晶体管数量超过19亿个，单元面积0.171平方微米，容量291Mb，运行速度4GHz，相对比而言，45nm时代处理器的单元面积是0.346平方微米(AMD的是0.370平方微米)。图3：晶体管的栅极间距大幅缩小 2：32纳米技术针对漏电电流做出了优化。与45纳米制程相比，NMOS晶体管的漏电量减少5倍多，PMOS晶体管的漏电量则减少10倍以上。换句话讲，根据NMOS、PMOS晶体管泄漏电流和驱动电流的对比，32nm的能效相比45nm会有明显提高──要么能在同样的漏电率下提高晶体管速度(14-22%)，要么能在同样的速度下降低漏电率(5-10倍)。因此由于上述改进，电路的尺寸和性能均可得到显著优化。图4： 32纳米技术针对漏电电流做出了优化，提高驱动电流 3：32纳米还采用了第四代应变硅技术， 可将晶体管体积缩小大约30%，从而有利于提高晶体管的性能，同时也使得英特尔可以争取更多的时间和机会进行更多技术创新。