2020 模拟电子技术基础(西北工业大学) 最新满分章节测试答案 – 网课小帮手

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1、 问题:N型半导体是在纯净半导体中掺入____； 选项： A:带正电的离子 B:三价元素，如硼等 C:五价元素，如磷等 D:带负电的电子 答案: 【五价元素，如磷等】

2、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 选项： A:放大 B:饱和 C:截止  D:损坏 答案: 【截止 】

3、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 选项： A:放大 B:截止 C:饱和 D:损坏 答案: 【截止】

4、 问题:图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管 选项： A:N沟道结型 B:N沟增强型MOS C:N沟耗尽型MOS D:P沟耗尽型MOS 答案: 【N沟增强型MOS】

5、 问题:图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管 选项： A:N沟道结型 B:P沟道结型 C:N沟道绝缘栅型增强型MOS D:P沟道绝缘栅型耗尽型MOS 答案: 【N沟道结型】

6、 问题:图中所示是三种不同类型的场效应管的漏极特性曲线。试判断它们各属于什么类型的场效应管 选项： A:P沟道结型 B:N沟道结型 C:P沟道耗尽型MOS D:P沟道增强型MOS 答案: 【P沟道耗尽型MOS】

7、 问题:晶体管工作在放大区时，发射结为____ 选项： A:正向偏置       B:反向偏置  C:零偏置 D:无 答案: 【正向偏置      】

8、 问题:晶体管工作在饱和区时，集电结为____ 选项： A:零偏置 B:正向偏置 C:反向偏置  D:无 答案: 【正向偏置】

9、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 选项： A:放大 B:截止 C:饱和  D:损坏 答案: 【放大】

10、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 选项： A:饱和 B:放大 C:截止  D:损坏 答案: 【放大】

11、 问题:用直流电压表测得电路中晶体管各电极的对地静态电位如图所示，试判断这些晶体管处于什么状态。 选项： A:饱和 B:截止 C:损坏） D:放大 答案: 【放大】

12、 问题:在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于____ 选项： A:温度 B:杂质浓度 C:掺杂工艺 D:无 答案: 【杂质浓度】

13、 问题:电路如图所示，ui=0.1sinwt(V)，当直流电源电压V增大时，二极管rd的动态电阻将____。 选项： A:保持不变 B:增大 C:减小 D:无 答案: 【减小】

14、 问题:随着温度升高，晶体管的共射输出特性曲线将___ 选项： A:上移 B:下移 C:左移 D:右移 答案: 【上移】

15、 问题:在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.22mA、0.02mA、1.2mA。由此可判断电极①是 选项： A:发射极 B:基极 C:集电极 D:无 答案: 【发射极】

16、 问题:设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态 选项： A:饱和 B:截止 C:放大 D:倒置 答案: 【截止】

17、 问题:在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于____ 选项： A:温度 B:掺杂工艺 C:杂质浓度 D:无 答案: 【温度】

18、 问题:电路如图1所示，ui=5sinwt(V)二极管可视为理想二极管。分析以下情况中uo的波形，从以下四种波形中选择正确答案填空。UDC＝0V，   波形如图____所示。 选项： A: B: C: D: 答案: 【】

19、 问题:场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____ 选项： A:大 B:小 C:相等 D:无 答案: 【小】

20、 问题:在某放大电路中，测得晶体管的三个电极①、②、③的流入电流分别为－1.2mA、－0.03mA、1.23mA。电极①是____ 选项： A:发射极 B:基极 C:集电极 D:漏极 答案: 【集电极】

21、 问题:设图中的二极管和三极管均为硅管，三极管的β均为100，试判断三极管的工作状态 选项： A:截止 B:饱和 C:放大 D:倒置 答案: 【放大】

22、 问题:在保持二极管反向电压不变的条件下，二极管的反向电流随温度升高而____； 选项： A:不变 B:减小 C:增大  D:无 答案: 【增大 】

23、 问题:在保持二极管的正向电流不变的条件下，二极管的正向导通电压随温度升高而____。 选项： A:减小 B:增大 C:不变） D:无