silvaco 学习笔记 2

  在Atlas中定义新材料需要三个基本要素（参考手册1387页）： 

 1. 定义新材料名字，如：material=Ga2O3：这里定义的材料是氧化镓。 2. 定义材料类别，材料的类别包括导体，半导体，绝缘体三种类型。如：user.group=semiconductor ， 定义的是半导体材料。三种材料定义的代码如下：

 3. 定义默认材料，在库中把性能相近的材料作为新材料计算的基础，如：user.default=GaN：这把库材料GaN作为默认材料，氧化镓和氮化镓都是镓的宽禁带半导体材料。

  4.定义一些其他的参数，在定义了以上三个参数的基础上定义一些其他参数，来具体的定义出一种新材料。在定义新材料的时候，至少要包含以下几个参数：带隙，电子及空穴态密度，介电常数，电子及空穴迁移率（NC300, NV300, permittivity, mun, mup），对于双极器件还必须包括一些复合参数，如寿命，辐射复合率，俄歇系数（TAUN，TAUP, COPT, AUGN, AUGP）。 举例如下：

说明： affinity：亲合能 eg300：300k下的带隙 nc300：300k下的导带态密度 nv300：300k下的价带态密度 permittivity：介电常数 mun/mup：低温下，电子/空穴的迁移率 tc.const：热导率

对于材料成分变化的器件，还需指定能带边缘对齐参数（band-edge alignment parameters），可以是电子亲和势参数：AFFINITY，或者是边对齐（ edge alignment）参数：ALIGN。如果考虑碰撞电离模型，还必须指定碰撞电离系数。

例如考虑AlInGaP器件的仿真，材料库中没有这一材料，我们可以选择材料库中相似的材料InGaAsP作为默认近似的材料，假如我们关心的是复合及热流参数，下面部分表示的是如何修改这些参数：