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变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管",是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大。 1. 电容随电压变化的曲线 由于没有时间因素,可看成LTI系统,稳态就可以用S参数任务计算SYZ矩阵,后处理有从SYZ参数提取电容C的模板。 搭建电路,用DC电压Vin参数控制二极管的负电压,再用无穷大的电感只让DC过(也叫DCFEED模块): 添加S参数任务和扫参任务,S参数设置频率范围,比如0-100MHz,然后添加后处理任务,提取电容值和1MHz的电容值: 起个好名就行了: 更新扫参任务,获得: 2. 电容随时间变化的曲线 这个就略复杂一点,需要一点技巧,因为随时间变化的电压就不算稳态了,S参数不能直接计算;但是我们可以把每个时间点当作一个稳态,然后扫参时间就可以了。 这里我们以一个100MHz的正弦变化的电压为例,搭建电路: 设置时控电压参数: AC电压0.1V,DC电压0.2V,所以两个周期20ns内,压变范围为0.1-0.3V,对照上文的压变电容曲线,可以预计电容值在0.02-0.05之间非线性变化。添加扫描任务: 修改后处理名称: 运行扫参得到: 小结: 1.压变电容可以以二极管+SPICE模型的形式在CST电路中使用。 2.提取电容的最简单方法就是通过S参数,但是不同的电容曲线需要用户理解信号系统的特性,分别使用一点小技巧。 |
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