关于雪崩击穿温度系数

我是从这学来的，嫌麻烦可以看视频 https://www.bilibili.com/video/BV19F411B7V8?from=search&seid=10195893809605231446&spm_id_from=333.337.0.0

温度高时，晶格内的电子热运动加大，占据空间变大，（这里看起来更容易撞到了）；少子在加速过程中，变得容易与电子相撞，但这时没有足够的能量使电子本征激发； 于是温度高，击穿电压反而高了

齐纳击穿雪崩击穿两种击穿形式，在稳压管中大概以6V为界限， 6V一下的稳压管用齐纳击穿 6V以上用雪崩击穿

两种击穿的区别是掺杂的杂质浓度不通； 用齐纳击穿的PN结，掺杂浓度高 雪崩击穿的掺杂浓度低

齐纳击穿：之间因为电场够大，让稳定的电子有足够的能量本征激发，产生大的电流 雪崩击穿：通过少子对晶格内电子碰撞，让电子本征激发，，产生少子，一个少子撞出两个，两个撞出四个，形成大的电流（需要少子有足够长的加速时间，产生足够撞出本征激发的速度）