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CMOS设计手册
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模拟CMOS
衬底噪声：由于相邻的电阻互相注入电流而产生的衬底噪声。解决方法：在两个电阻之间加入一个P+注入区（作为P衬底晶圆的衬底接触）。P+注入区保护电路免受载流子的影响，由于注入区是一个环形，所以成为保护环。
共质心版图 共质心（共同的中心）版图有助于改善两电阻之间的匹配性能（代价是两元件之间具有不均匀的寄生特性），另外，共质心也能改善MOS和电容的匹配性能。 3.MOS电容 堆积 （VGSVth,VdsVth,所以在栅氧化层下的表面会反型，因为Vds>0,所以有漂流电流从漏端流向源端。
饱和区（Vgs>Vth,Vds>Vgs-Vth） 当Vds=Vgs-Vth时，栅电极下方（漏极与沟道的汇合处）沟道中的反型电荷为零，这个漏端和源端之间的电压被称为Vds,sat=(Vgs-Vth),它表明沟道在漏端和沟道交界处被夹断。增加Vds并超过Vds,sat,会将固定电荷吸引至漏端，从而使得沟道中紧临漏端的电荷被耗尽。继续增加并不会使漏端电流继续增加（由于沟道长度调制效应会使漏端电流随着漏端电压增加而增加） \[I_D=\frac {1}{2} β（V_{GS}-V_{TH}）^2(1+λV_{DS}) ,λ=\frac {1}{L}\frac {dX}{dV_{DS}} \]迁移率会随着Vds变化而变化，
沟道长度调制效应和体效应效应 沟道长度调制效应：当栅和漏端之间的电压差减小时，实际的反型沟道长度在减小，这称为沟道长度调制效应。 体效应：当\(V_{SB}\)开始增加时，阈值电压也开始增加，这被称为体效应。电子从沟道中被吸引到了\(V_{SB}\)的正端，为了保持表面反型，必须要在mosfet上施加一个更大的\(V_{GS}\)。于是从沟道中获取电子带来的效果就是MOSFET的阈值电压增加了。
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