芯片测试的几个术语及解释(CP、FT、WAT)

CP

是把坏的

Die

挑出来，可以减少封装和测试的成本。可以更直接的知道

Wafer

的良率。

FT

是把坏的

chip

挑出来；检验封装的良率。

现在对于一般的

wafer

工艺，很多公司多吧

CP

给省了；减少成本。

ＣＰ

对整片Ｗａｆｅｒ的每个Ｄｉｅ来测试

而ＦＴ

则对封装好的Ｃｈｉｐ来测试。

ＣＰ

Ｐａｓｓ

才会去封装。然后ＦＴ，确保封装后也Ｐａｓｓ。

WAT

是

Wafer Acceptance Test

，对专门的测试图形（

test key

）的测试，通过电参数来监

控各步工艺是否正常和稳定；

CP

是

wafer level

的

chip probing

，是整个

wafer

工艺，包括

backgrinding

和

backmetal

（

if 

needed

），对一些基本器件参数的测试，如

vt,Rdson,BVdss,Igss,Idss

等，一般测试

机台的电压和功率不会很高；

FT

是

packaged chip level

的

Final Test

，主要是对于这个（

CP passed

）

IC

或

Device

芯

片应用方面的测试，有些甚至是待机测试；

Pass FT

还不够，还需要作

process qual

和

product qual 

CP

测试对

Memory

来说还有一个非常重要的作用，

那就是通过

MRA

计算出

chip level

的

Repair 

address

，通过

Laser Repair

将

CP

测试中的

Repairable die

修补回来，这样保证了

yield

和

reliability

两方面的提升。

CP

是对

wafer

进行测试

,

检查

fab

厂制造的工艺水平

FT

是对

package

进行测试

,

检查封装厂制造的工艺水平

对于测试项来说

,

有些测试项在

CP

时会进行测试

,

在

FT

时就不用再次进行测试了

,

节省了

FT

测试时间

;

但是有些测试项必须在

FT

时才进行测试

(

不同的设计公司会有不同的要求

) 

一般来说，

CP

测试的项目比较多，比较全；

FT

测的项目比较少，但都是关键项目，条件严

格。但也有很多公司只做

FT

不做

CP(

如果

FT

和封装

yield

高的话，

CP

就失去意义了

)

。

在测试方面，

CP

比较难的是探针卡的制作，并行测试的干扰问题。

FT

相对来说简单一点。

还有一点，

memory

测试的

CP

会更难，因为要做

redundancy analysis,

写程序很麻烦。

CP

在整个制程中算是半成品测试，

目的有

2

个，

1

个是监控前道工艺良率，

另

1

个是降低后

道成本（避免封装过多的坏芯片），其能够测试的项比

FT

要少些。最简单的一个例子，碰

到大电流测试项

CP

肯定是不测的（探针容许的电流有限），这项只能在封装后的

FT

测。

不过许多项

CP

测试后

FT

的时候就可以免掉不测了（可以提高效率），所以有时会觉得

FT

的测试项比

CP

少很多。

应该说

WAT

的测试项目和

CP/FT

是不同的。

CP

不是制造（

FAB

）测的

!

而

CP

的项目是从属于

FT

的（也就是说

CP

测的只会比

FT

少）

，项目是完全一样的；不同的

是卡的

SPEC

而已；

因为封装都会导致参数漂移，

所以

CP

测试

SPEC

收的要比

FT

更紧以确保