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基于切比雪夫网络修正的噪声优化超宽带LNA设计

2024-07-13 17:01| 来源: 网络整理| 查看: 265

 

0 引言

  无线传输设备正向微型化、高性能以及兼容化(单个终端集成多个领域的应用)的方向发展[1],超宽带技术作为一种面向低复杂度、低成本、低功耗、高数据传输率的短距离互联技术,已成为研究热点之一[2]。低噪声放大器作为无线通信接收系统的第一个模块,对整个系统的性能起着举足轻重的作用。本文提出了一种基于0.18 μm CMOS工艺在3.1~10.6 GHz频带范围内实现高噪声性能的LNA设计方案,在输入端引用切比雪夫网络,主体放大器为带源级负反馈电感的共源共栅结构,并对其采用噪声消除技术,消除沟道热噪声,从而使整个频带内NF降低到1.5 dB~2.3 dB,增益保持在15 dB~20 dB,具有优越性。

1 超宽带输入匹配

  本设计采用在cascode结构之前加入三阶切比雪夫滤波器结构(降低输入阻抗的虚部到零)作为输入端,选用三个极点来实现3.1~10.6 GHz宽频带的输入匹配。

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  图1为UWB LNA的输入匹配图,其中L1、C1、L2、C2、Lg和Cp构成了三阶的切比雪夫滤波器。这种结构不仅能解决超宽带匹配难的问题,而且还可以对前端接收天线的非理想性进行修正。虽然引入电感,但可以省去LNA以及后续混频器对信号相位的修正工序,简化了电路的复杂度。输入等效电路图如图2所示。

  带有源极电感负反馈的晶体管的输入阻抗是一种串联RLC电路的形式[3]。

  输入阻抗为:

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  计算出三阶切比雪夫滤波器的参数值。其中,p是滤波器带内波动系数。最后,再对网络右侧的电感 Lg和补偿电容 Cp的值进行修正。

  根据以上设计流程,对应3.1~10.6 GHz的输入匹配电路,三阶切比雪夫滤波器各元件的参数值为:

  L1=1.05 nH,C1=751.6 fF,L2=1.86 nH,C2=680.06 fF,Lg=1.22 nH,Cp=102 fF。

  2 噪声消除技术

  在MOSFET中,有两个主要的噪声源:噪声和热噪声。在射频设计中,前者可以忽略不计,热噪声占主导地位。晶体管M1的噪声模型如图3所示。

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  ind为漏级沟道热噪声,ing感应栅噪声。这两个噪声源之间有一定的相关性[5],ing由ind前馈感应而成,故针对MOSFET管的沟道热噪声ind进行噪声消除。如图4,共栅管M1的沟道热噪声ind,M1,从Y点流出,在X流入[6]。在这两点产生两个完全相关但是完全反相的噪声电压,分别由M2和M3转换成反相电流。共栅级晶体管M1在X点和Y点产生的两个同相信号电压,同样分别由M2和M3转换成反相电流。故在输出端,有用信号叠加增强,而噪声信号被反相抵消。

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3 整体设计及参数设定

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  在借鉴文献[7]所述的共栅级噪声消除原理的基础上加以改进,对cascade结构上对噪声进行消除。所设计的应用噪声消除技术的UWB LNA 设计原理图如图5。超宽带的输入网络由三阶切比雪夫组成,选用三个极点保证3~10 GHz的带内阻抗匹配。同时对天线的非理想性进行修正。输出匹配采用源级跟随器。放大管主要由采用噪声消除技术的两级cascade结构组成。M1和M2构成第一级cascade结构,增大M2漏端电阻,提高M1源端与其之间的隔离度。由于M2的沟道噪声影响很小,可忽略不计,所以主要分析M1沟道噪声消除的原理。M1共栅级结构,沟道热噪声在X与Y节点产生相位相反的噪声电压,比例为Rl/Rs。有用信号在X与Y节点产生同相的信号电压。Ll用来与寄生电容产生谐振,提高晶体管高频增益[6]。M3和M4构成第二级cascade结构,提供gm3/gm4的叠加比。

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  根据此式,合理设置晶体管的栅宽和电阻阻值,就可实现噪声的消除,达到超宽带低噪声放大器噪声优化的目标。

4 仿真与分析

  基于TSMC公司的0.18 μm标准工艺设计了3~10 GHz的超宽带低噪声放大器,在安捷伦ADS2008U2平台上进行仿真。根据计算结果设定参数,并经过适当修正与调整,得到如图6~图9所示的仿真结果。

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  由图6所示,三阶切比雪夫滤波器利用三个极点,保证电路在3 GHz~10 GHz频率范围内,输入反射系数S11小于-11 dB,有良好的输入匹配性能。输出端采用源级跟随器,仿真结果如图7所示,输出反射系数S22小于-10 dB。因此表明该设计能够保证电路有良好的输入输出匹配,有效减少了信号的反射。两级cascade结构的放大设计,使增益最高可达到约15 dB,且带内增益平坦,如图9所示。图8所显示的噪声系数,在频带3 GHz~10 GHz范围内能够保持在1.5~2.3。从仿真结果来看,随着频率的增高,NF具有上升的趋势,这是由于寄生效应的复杂性随频率的增加而增加,与理论曲线相一致。仿真结果表明,通过这种设计,使电路的噪声性能达到了较优的效果。

5 结论

  本文设计了一款采用噪声消除技术的3~10 GHz超宽带低噪声放大器。在该设计中,输入端采用三阶切比雪夫滤波器,设置三个极点,解决了超宽带输入阻抗难以匹配的难题,并且仿真结果表明,输入端达到了良好的匹配效果。放大器在经典的cascade结构的基础上,采用改进的噪声消除技术,使噪声系数最低达到1.47 dB,且在3~10 GHz的整个带宽内只有0.8 dB的变化,实现了较好的噪声性能。且仿真结果表明,在此超宽带的 频带内,增益最高可达到15 dB,有效地抑制后级模块的噪声。与其他文献介绍的LNA相比,本文设计的UWB LNA达到了较好的水平。

参考文献

  [1] 齐凯.基于噪声消除技术的CMOS宽带LNA设计[J].微电子学,2012,42(5):621-626.

  [2] 宋睿丰,廖怀林,黄如,等.3.1~10.6 GHz超宽带低噪声放大器设计[J].北京大学学报(自然科学版),2007,43(1):78-81.

  [3] SCHOLTEN A J,TIEMEIJER L F,VAN LANGEVELDE R,et al.Noise modeling for RF CMOS circuit simulation[J].IEEE Trans.Electron Devices,2003,50:618-632.

  [4] 马翔,金德鹏,苏厉,等.基于噪声消除技术的超宽带CMOS低噪声放大器设计[J].传感器与微系统,2011,3011):122-124.

  [5] GHADIMIPOOR F,GARAKANI H G.A Noise-canceling CMOS low-noise-amplifier for WiMAX[C].2011,Interna-tional conference of Electronic Devices,Systemsand Amplica-(ICEDS):165-169.

  [6] KUMAR A R A,DUTTA A,SINGH S G.Noise-canceling subthreshold UWB LNA for wireless sensor network applica-tion[C].2012 ICUWB,2012:383-386.

  [7] LIAO C F,LIU S I.A broadband noise-canceling CMOS LNA for 3.1-10.6 GHz UEB receiver[J].Solid Stage Circuits,IEEE Journalof,2007,42(2):329-339.

  [8] FENG C,YU X  P,LU Z H,et al.3-10 GHz selfbiased resistive-feedback LNA with indutive source degeneration[J]. Elec Lett,2013,49(6):387-388.



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