SDRAM详解(结构框图、容量计算、寻址方式、初始化)

SDRAM(Syncronized Dynamic Ramdam Access Memory)是同步动态随机存储器，是DRAM的升级版。在SDRAM的基础上又发展出DDR(double rate)，即双倍速度的SDRAM，DDR又有几个版本，比如DDR2、DDR3、DDR4，越往后的DDR读写速率越快，并且还有低功耗版本的DDR，一般低功耗版本的DDR命名为LPDDRn(n为2、3、4)。

(1)SDRAM的地址分为列地址(column address)和行地址(row address)。上面框图中可以看出有10根行地址线，13根列地址线。 (2)A0-A12是SDRAM的地址线，行列地址都是通过这13根地址线传给SDRAM的，采用了分时复用的技术。 (3)分时复用技术，可以减少芯片的引脚。用SDRAM的RAS（RowAddressStrobe，行地址信号）和CAS（ColumnAddressStrobe，列地址信号）加以区分，在RAS引脚使能时地址线传输的是行地址，在CAS引脚使能时地址线传输的是列地址。

(1)64Mbx16：64M个bit乘以16，就是1024M个bit，也就是1Gbit，128MB； (2)根据地址线计算：13根行地址线、10根列地址线、3根片选信号线说明该SDRAM芯片有2^26次方个存储单元，每次存储单元储存16bit数据（因为数据线是DQ0-DQ15）也就是2个字节，所以该存储芯片的容量是 2 ^27个字节，也就是128MB。 (3)容量=Bank数 x 每个Bank的容量； (4)Bank的容量=行地址 x 列地址 x 每个存储单元的容量； (5)每个储存单元的容量=数据线的位数(DQ0-DQn);

(1)可以将SDRAM的每个存储单元理解成表格中的一个单元，DRAM由2-8个Bank组成，每个Bank是完全一样的，每个Bank就相当于一个表格，有m行xn列，也就是对应行地址和列地址； (2)在SDRAM的引脚中有Bank选择引脚(BA0-BA2)，3个引脚最多支持8个Bank，具体芯片有几个Bank要查数据手册。

SDRAM是动态存储器，使用的电容原理，需要在规定的时间内去刷新一遍，不然数据就会丢失。在初始化SDRAM时，需要给DRAM控制器配置刷新间隔，具体刷新间隔要查询数据手册。

内存突发长度：可以理解成DRAM控制传一个地址给DRAM，DRAM返回的字节数。

参考博客：《S5PV210芯片的DRAM控制器介绍、初始化DDR的流程分析》。