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定义物理常量 要跟踪物理常量,请创建一个结构体数组,其中每个常量都有一个对应的字段。当您稍后为方程、初始条件和边界条件定义函数时,可以将此结构体作为额外的参量传入,以便函数可以访问常量。 C.L = 1; C.D = 0.1; C.eta = 10; C.K = 1; C.Ip = 1;编写方程代码在编写方程代码之前,您需要确保它的形式符合 pdepe 求解器的要求: c(x,t,u,∂u∂x)∂u∂t=x-m∂∂x(xmf(x,t,u,∂u∂x))+s(x,t,u,∂u∂x). 此形式的 PDE 为 ∂u∂t=x0 ∂∂x(x0 D∂u∂x)-DηL∂u∂x. 因此,方程中的系数的值是 m=0(没有角对称性的笛卡尔坐标) c(x,t,u,∂u∂x)=1 f(x,t,u,∂u∂x)=D∂u∂x s(x,t,u,∂u∂x)=-DηL∂u∂x 现在,您可以创建一个函数以编写方程代码。该函数应具有签名 [c,f,s] = transistorPDE(x,t,u,dudx,C): x 是独立的空间变量。 t 是独立的时间变量。 u 是关于 x 和 t 微分的因变量。 dudx 是偏空间导数 ∂u/∂x。 C 是包含物理常量的额外输入。 输出 c、f 和 s 对应于 pdepe 所需的标准 PDE 形式中的系数。 因此,此示例中的方程可以由以下函数表示: function [c,f,s] = transistorPDE(x,t,u,dudx,C) D = C.D; eta = C.eta; L = C.L; c = 1; f = D*dudx; s = -(D*eta/L)*dudx; end(注意:所有函数都作为局部函数包含在示例的末尾。) 代码初始条件接下来,编写一个返回初始条件的函数。初始条件应用在第一个时间值处,并为 x 的任何值提供 u(x,t0) 的值。使用函数签名 u0 = transistorIC(x,C) 编写函数。 初始条件为 u(x,0)=K LD(1-e-η(1-x/L)η). 对应的函数是 function u0 = transistorIC(x,C) K = C.K; L = C.L; D = C.D; eta = C.eta; u0 = (K*L/D)*(1 - exp(-eta*(1 - x/L)))/eta; end 编写边界条件代码现在,编写一个计算边界条件 u(0,t)=u(1,t)=0 的函数。对于在区间 a≤x≤b 上提出的问题,边界条件应用于所有 t 以及 x=a 或 x=b。求解器所需的边界条件的标准形式是 p(x,t,u)+q(x,t)f(x,t,u,∂u∂x)=0. 以这种形式编写的此问题的边界条件是 - 对于 x=0,方程为 u+0⋅d∂u∂x=0. 系数为: pL(x,t,u)=u, qL(x,t)=0. - 同样,对于 x=1,方程为 u+0⋅d∂u∂x=0. 系数为: pR(x,t,u)=u, qR(x,t)=0. 边界函数应使用函数签名 [pl,ql,pr,qr] = transistorBC(xl,ul,xr,ur,t): 对于左边界,输入 xl 和 ul 对应于 x 和 u。 对于右边界,输入 xr 和 ur 对应于 x 和 u。 t 是独立的时间变量。 对于左边界,输出 pl 和 ql 对应于 pL(x,t,u) 和 qL(x,t)(对于此问题,x=0)。 对于右边界,输出 pr 和 qr 对应于 pR(x,t,u) 和 qR(x,t)(对于此问题,x=1)。 此示例中的边界条件由以下函数表示: function [pl,ql,pr,qr] = transistorBC(xl,ul,xr,ur,t) pl = ul; ql = 0; pr = ur; qr = 0; end 选择解网格解网格定义 x 和 t 的值,求解器基于它们来计算解。由于此问题的解变化很快,请使用一个相对精细的网格,其中包含 50 个位于 0≤x≤L 区间中的空间点和 50 个位于 0≤t≤1 区间中的时间点。 x = linspace(0,C.L,50); t = linspace(0,1,50);求解方程最后,使用对称性值 m、PDE 方程、初始条件、边界条件以及 x 和 t 的网格来求解方程。由于 pdepe 需要 PDE 函数使用四个输入、初始条件函数使用一个输入,请创建函数句柄,将由物理常量组成的结构体作为额外输入来传入。 m = 0; eqn = @(x,t,u,dudx) transistorPDE(x,t,u,dudx,C); ic = @(x) transistorIC(x,C); sol = pdepe(m,eqn,ic,@transistorBC,x,t);pdepe 以三维数组 sol 形式返回解,其中 sol(i,j,k) 是在 t(i) 和 x(j) 处计算的解 uk 的第 k 个分量的逼近值。对于此问题,u 只有一个分量,但通常您可以使用命令 u = sol(:,:,k) 提取第 k 个解分量。 u = sol(:,:,1);对解进行绘图创建在 x 和 t 的所选网格点上绘制的解 u 的曲面图。 surf(x,t,u) title('Numerical Solution (50 mesh points)') xlabel('Distance x') ylabel('Time t') zlabel('Solution u(x,t)')现在,只需绘制 x 和 u 即可获得曲面图中等高线的侧视图。 plot(x,u) xlabel('Distance x') ylabel('Solution u(x,t)') title('Solution profiles at several times')计算发射极放电电流使用 u(x,t) 的级数解,发射极放电电流可以表示为无穷级数 [1]: I(t)=2π2Ip(1-e-ηη)∑n=1∞n2n2π2+η2/4e-dtL2(n2π2+η2/4). 编写一个函数,以使用级数中的 40 个项计算 I(t) 的解析解。唯一的变量是时间,但要将常量结构体指定为函数的另一个输入。 function It = serex3(t,C) % Approximate I(t) by series expansion. Ip = C.Ip; eta = C.eta; D = C.D; L = C.L; It = 0; for n = 1:40 % Use 40 terms m = (n*pi)^2 + 0.25*eta^2; It = It + ((n*pi)^2 / m)* exp(-(D/L^2)*m*t); end It = 2*Ip*((1 - exp(-eta))/eta)*It; end使用 pdepe 计算的 u(x,t) 的数值解,您还可以通过以下方程计算在 x=0 处的 I(t) 的数值逼近 I(t)=[IpDK∂∂xu(x,t)]x=0. 计算 I(t) 的解析解和数值解,并对结果绘图。使用 pdeval 计算 ∂u/∂x 在 x=0 处的值。 nt = length(t); I = zeros(1,nt); seriesI = zeros(1,nt); iok = 2:nt; for j = iok % At time t(j), compute du/dx at x = 0. [~,I(j)] = pdeval(m,x,u(j,:),0); seriesI(j) = serex3(t(j),C); end % Numeric solution has form I(t) = (I_p*D/K)*du(0,t)/dx I = (C.Ip*C.D/C.K)*I; plot(t(iok),I(iok),'o',t(iok),seriesI(iok)) legend('From PDEPE + PDEVAL','From series') title('Emitter discharge current I(t)') xlabel('Time t')结果相当吻合。通过使用更精细的解网格,您可以进一步改进 pdepe 得出的数值结果。 局部函数此处列出 PDE 求解器 pdepe 为计算解而调用的局部辅助函数。您也可以将这些函数作为它们自己的文件保存在 MATLAB 路径上的目录中。 function [c,f,s] = transistorPDE(x,t,u,dudx,C) % Equation to solve D = C.D; eta = C.eta; L = C.L; c = 1; f = D*dudx; s = -(D*eta/L)*dudx; end % ---------------------------------------------------- function u0 = transistorIC(x,C) % Initial condition K = C.K; L = C.L; D = C.D; eta = C.eta; u0 = (K*L/D)*(1 - exp(-eta*(1 - x/L)))/eta; end % ---------------------------------------------------- function [pl,ql,pr,qr] = transistorBC(xl,ul,xr,ur,t) % Boundary conditions pl = ul; ql = 0; pr = ur; qr = 0; end % ---------------------------------------------------- function It = serex3(t,C) % Approximate I(t) by series expansion. Ip = C.Ip; eta = C.eta; D = C.D; L = C.L; It = 0; for n = 1:40 % Use 40 terms m = (n*pi)^2 + 0.25*eta^2; It = It + ((n*pi)^2 / m)* exp(-(D/L^2)*m*t); end It = 2*Ip*((1 - exp(-eta))/eta)*It; end % ----------------------------------------------------参考[1] Zachmanoglou, E.C. and D.L. Thoe.Introduction to Partial Differential Equations with Applications.Dover, New York, 1986. |
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