NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路 | 您所在的位置:网站首页 › 二极管的导通判断电路图 › NMOS和PMOS管 电流方向和应用电路 |
1、分辨MOS管的方法
对于NMOS我们看下图中的箭头,都是远离源头。 对于PMOS我们看箭头,都是指向源头 P:POSITIVE积极的寻找自己的起源 N:NEGTIVE消极的远离自己的源头 首先明确一点,S是源极,D是漏极 对于NMOS,载流子是电子,我们知道电子的流向都是从源极到漏极,但是电流的流向是从漏极到源极。 对于PMOS,载流子是空穴对,空穴对的流向也是从源极到漏极,与NMOS不同的是PMOS电流的方向也是从源极到漏极,注意区分。 上图出现的二极管为体二极管,在驱动感性负载(马达)时很重要 2、NMOS PMOS电流方向和导通条件NMOS是栅极高电平(|VGS| > Vt)导通,低电平断开,可用来控制与地之间的导通。 PMOS是栅极低电平(|VGS| > Vt)导通,高电平断开,可用来控制与电源之间的导通。 MOSFET(一):基础_Infinity_lsc的博客-CSDN博客
NMOS因Source端一般接地(低电位),所以要让|VGS| > Vt, 则Gate端一般要接正电压,这样管子才能导通; PMOS因Source端一般接VDD(高电平),所以要让|VGS|>Vt,则Gate端一般要接负电压(低与VDD的电压),这样管子才能导通。 3、PMOS开关电路举例设计并调试好的电路如下图所示,由于供电电压和驱动电压均可以使用12V,所以采用了如下较为简单的方案。 如图所示,Q9 AO3401的栅极(G)通过100k电阻上拉到12V,源级(S)直接连接至12V电源侧,漏极(D)连接到被控设备,被控设备两端并联二极管,用于关断设备后,释放被控设备上的能量。在默认情况下,Q9 A03401的栅极被拉到12V,此时Vgs=0,PMOS处于截止状态,被控设备关断。 控制逻辑如下: 信号Control_Signal=1,动作被控设备得电 Control_Signal=0,被控设备掉电,并通过续流二极管D3释放存储的能量 上图是一个PMOS显然栅极为低导通,为高关断。 P-MOSFET开关连接在负载和正电源轨道(高侧开关)之间,就像我们使用PNP晶体管一样。在p通道器件中,漏极电流的常规流向是负方向的,因此施加负的栅源电压使晶体管接通。这是因为p通道MOSFET是倒置的,其源端连接到正电源+VDD。然后当开关为低,MOSFET打开,当开关为高,MOSFET关闭。 这种P沟道增强型MOSFET开关的倒置连接允许我们将其与N沟道增强型MOSFET串联起来,以产生互补或CMOS开关器件,如图所示,跨越双电源。 4、NMOS开关电路举例
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