掩膜图形制备方法

申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2022-11-28

公开（公告）日：2023-03-07

公开（公告）号：CN115763229A

主分类号：H01L21/033

分类号：H01L21/033;H01L21/311;H10B41/27;H10B43/27

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2023.03.07#公开

摘要：本发明提供一种掩膜图形制备方法，该掩膜图形应用于3DNAND器件制备方法中的沟道刻蚀工艺，包括：提供第一掩膜层，第一掩膜层上设置有具有预定图形的第二掩膜层；主刻蚀步骤，用于对第一掩膜层进行刻蚀；辅助刻蚀步骤，用于去除副产物以及在刻蚀过程中形成在第二掩膜层的预定图形的开口底部的掩膜外延部分；执行主刻蚀步骤至少两次，以在第一掩膜层上形成与预定图形相同的掩膜图形，且在至少一相邻两次主刻蚀步骤之间执行一次辅助刻蚀步骤，以控制第一掩膜层的掩膜图形的开口底部的关键尺寸。本发明提供的掩膜图形制备方法，可以实现第一掩膜层的掩膜图形的开口底部的关键尺寸的可控性，使掩膜图形的开口底部的关键尺寸及其均一度满足要求。

主权项：1.一种掩膜图形制备方法，所述掩膜图形应用于3DNAND器件制备方法中的沟道刻蚀工艺，其特征在于，包括：提供第一掩膜层，所述第一掩膜层上设置有具有预定图形的第二掩膜层；主刻蚀步骤，用于对所述第一掩膜层进行刻蚀；辅助刻蚀步骤，用于去除副产物以及在刻蚀过程中形成在所述第二掩膜层的所述预定图形的开口内的掩膜外延部分；执行所述主刻蚀步骤至少两次，以在所述第一掩膜层上形成与所述预定图形相同的掩膜图形，且在至少一相邻两次所述主刻蚀步骤之间执行一次所述辅助刻蚀步骤，以控制所述第一掩膜层的所述掩膜图形的开口底部的关键尺寸。

全文数据：

权利要求：

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