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怎样设计最凉爽?主板供电散热对比测试

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1主板供电用料与散热关系简析回顶部

   【PConline评测】说到机箱里的热源,人们一般都只会考虑到CPU、GPU和主板芯片,实际上,随着CPU走进了低电压、大电流的时代,处理器供电也承受着不小的压力,一般设计的主板供电运作时上个50℃不是怪事,有些无散热片的主板供电温度更甚至可达100℃,相当烫手。

  说到底,主板供电部分的发热其实很大程度与主板的用料有关,这个相信很多用户都明白,但是有多少人能说说怎样的用料会比较“凉爽”呢?超多相供电设计是否真的那么凉快?热管散热其实有是否那么靠谱?很多厂商都宣传的“2倍铜”设计是否有必要?普通MOSFET和低抗阻MOSFET、Dr.MOS又有多大区别?带着这些问题,我们开始了今天的测试。

主板供电用料与散热关系简析:

CPU供电部分

  本次测试并不针对特定的品牌或特定型号的产品,我们关注的焦点是主板的CPU供电部分,因此,首先我们来简单讲解一下主板的供电部分。

  当前的CPU设计方向是低电压、大电流,有一定电学知识的用户都能指出,“电流 + 电阻 = 发热”,而MOSFET多多少少都会有抗阻,因此大电流设计下主板供电部分的发热,主要就是MOSFET管发热,其发热量有时可能比CPU发热量还严重,尤其是,CPU散热大家都有,大家都用,而主板供电散热,却不是什么标配。

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什么是MOSFET管?

  MOSFET,中文名称是场效应管,一般被叫做MOS管。这个元件一般看起来就是一个扁平的方形或长方形,它在供电电路里的角色是受到栅极电压控制的开关。每相供电的MOSFET一般由MOSFET驱动、MOSFET上桥和MOSFET下桥组成,其中上下桥轮番导通,对这一相的输出电感进行充电和放电,使输出端能够得到一个稳定的电压。

  每相电路都要有上桥和下桥,所以每相至少有两颗MOSFET,而上桥和下桥都可以用并联两三颗代替一颗来提高导通能力(降低电阻),因而每相还可能看到总数为三颗、四颗甚至五颗的MOSFET。

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多相供电设计

  为了解决发热大的问题,主板厂商采用了多种解决方案,其一就是多相供电设计。多相供电设计能降低每相供电承受的工作压力,提高其工作效率,并保证供电元件有更长的寿命,目前市面的主流桌面级主板无一例外都是多相供电设计。

 低抗阻MOSFET

  除了多相供电设计,主板厂商还会在用料选择上下功夫。比如上图的供电就采用了低抗阻的MOSFET管,与3pin(2pin)普通MOSFET管相比,低抗阻MOSFET明显要更薄,针脚也更多,有8pin(因此俗称“八爪鱼”).

Dr.MOS/Driver MOSFET

  除了低抗阻MOSFET,微星等厂商还会在较高端主板上采用Dr.MOS/Driver MOSFET,Dr.MOS/Driver MOSFET将MOSFET驱动(Driver)和MOSFET上下桥都整合到了一起,除了能减少空间的占用,还能增加散热空间,提高散热效率。

2评测平台、测试工具与评测方法回顶部

评测平台与评测说明:

硬件平台 CPU AMD A8-3850 APU Intel i5 2500K 主板 华硕 F1A75-V PRO 华硕 F1A55-V 华硕 P8H61-M PRO 技嘉 GA-HA65M-D2H-B3 技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD 微星 Z68MA-ED55 内存 DDR3-1333 2GB×2 9-9-9-24 硬盘 日立 1TB 显卡 AMD公版HD6670 软件平台 系统软件   Win7 64位旗舰版 SP1 AMD 催化剂11.9 任务管理器 评测软件 Orthos 0.41 CPU-Z 1.58

  我们本次测试的主要目的是探究主板CPU供电用料与散热的关系,平台方面我们兼顾了AMD的APU平台和Intel的二代酷睿平台,AMD平台采用的是A8-3850 APU处理器,Intel平台采用的则是i5 2500K处理器。

测试主板之一

  主板方面我们以一线三大厂的产品为准,包括华硕 F1A75-V PRO、华硕 F1A55-V、华硕 P8H61-M PRO、技嘉 GA-HA65M-D2H-B3、技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD和微星 Z68MA-ED55共6款,它们在供电用料和设计方面都各有不同,我们会在下面一一讲解。

测试工具:福禄克 Ti-25热像仪

  测试工具方面,我们选择的是福禄克出品的Ti-25热像仪,这是一款工程用的手持式热能成像仪,能够混合显示可视光和热红外光成像,以便用户可以方便快速地分析目标的热能分布状况。

热像图解析:颜色代表温度

  热像仪输出热像图是一种以渐变颜色表示温度的图像,低温会以冷色调(蓝)呈现,而高温则会以暖色调(红)呈现,从低温冷色向高温暖色无级渐变。我们测试设置的温度表示范围为17℃~70℃,超出上限范围的温度会以白色表现,而低于下限范围的温度会以黑色表现。

  此外,这款热像仪还能实时标出三个参数,一个最高点温度(位置在此图中间偏右,提示“高”,读数77.7),一个最低点温度(位置在左下角,提示"低",度数29.6),以及当前中央点的温度(位置在图中央,无提示,度数67.1)。

测试环境

  测试方法方面,本次测试主要在29℃,湿度40%的密闭空间里进行,以模拟机箱内实际应用环境。我们通过使用Orthos拷机软件来使CPU进入满载状态,保持3分钟,再用热像仪拍下主板供电部分的热量分布状况,记录为“满载温度”,然后停止Orthos拷机,让平台闲置3分钟,再用热像仪拍摄,记录为“闲置温度”。

3测试相关主板供电设计总览回顶部

测试主板供电设计总览:

华硕 F1A75-V PRO

  华硕 F1A75-V PRO采用8相供电设计,由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制,供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的低抗阻MOSFET,并且带美观的热管散热。

华硕 F1A55-V

  华硕 F1A55-V采用6相供电设计,由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制,供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的低抗阻MOSFET,并且带美观的散热片散热。

华硕 P8H61-M PRO

  华硕 P8H61-M PRO采用6相供电设计,由华硕的DIGI+VRM数字供电芯片控制,供电用料采用的全部都是华硕定制的尼吉康FP5K固态电容、R68封闭铁素电感和1上1下的普通MOSFET,并且带美观的散热片散热。

技嘉 GA-HA65M-D2H-B3

  技嘉 GA-HA65M-D2H-B3采用6相供电设计,无2倍铜PCB,供电用料是优质的日本化工固态电容、R80铁素电感和1上2下低抗阻MOSFET管,不带散热片,不过预留了散热片安装孔。

技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD

  技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD采用7相供电设计,配备2倍铜PCB,供电用料是优质日本化工固态电容、低温铁素电感和Driver MOSFET,部分带散热片。

微星 Z68MA-ED55

  微星 Z68MA-ED55采用10相供电设计,供电用料是日本化工固态电容搭配贴片电容、SFC电感和Dr.MOS,并且配备单条热管散热。

4第一问:供电相数越高越好?回顶部

供电相数越高越好?

供电相数越多越好?   华硕 F1A75-V PRO 华硕 F1A55-V 供电相数 8 6 MOSFET管 低抗阻 低抗阻 散热设计 无 无 特殊 无 无

  第一回合,我们选择华硕 F1A75-V PRO对比华硕 F1A55-V,两者设计和用料很相近,不过前者的供电相数更多,而且采用了热管散热而不是散热片散热。我们去除了两款主板的散热片,让它们裸奔满载3分钟,然后再闲置3分钟。

华硕 A75满载3分钟

  8相CPU供电裸奔满载3分钟后,供电部分温度几乎一片白,超出了我们设定的70℃上限,最高温度竟达99.4℃,颇为惊人。

华硕 A55满载3分钟

  6相CPU供电裸奔满载3分钟后,情况比8相供电还糟,大片惨白甚至延伸到了处理器处,最高温度竟达112.8℃!

  初步看来,8相供电在满载情况下表现比6相供电好,说明8相供电下每相供电承受的压力的确比6相供电更低。但这是否就说明多相供电完胜了呢?请接着往下看!

华硕 A75闲置3分钟

  闲置3分钟后,8相供电的热量已经明显消退,大部分温度都在60~70℃之间,只有局部超过70℃上限。

华硕 A55无散热闲置3分钟

  6相供电闲置3分钟后,热量消退比8相供电更明显,平均温度大概是61℃,局部最高温也才74.9℃,比8相供电的78.3更低。

  测试小结:供电相数越多,每相供电所承受的压力的确是越小,发热越少,但是由于元件密集影响,热量更容易累积,降温的速度不一定比得上相数略少的设计。

5第二问:加热管还是加风扇靠谱?回顶部

加热管还是加风扇靠谱?

加热管还是加风扇靠谱?   华硕 F1A75-V PRO 华硕 F1A55-V 供电相数 8 6 MOSFET管 低抗阻 低抗阻 散热设计 散热片/散热片+风扇 热管 特殊 密闭环境+流通环境对比 密闭环境

  第二回合,我们把散热片/热管装回去,对比A55在密闭环境和流通环境下的满载表现,以及用A55带散热片+风扇的组合PK A75带散热片+热管的组合。(注:后一个对比中,A55只有6相供电,A75有8相,因此A55可以说是让了A75一步。)

密闭环境下,华硕 A55满载3分钟

  密闭环境下,供电部分的热量到了散热片之后就聚集起来了,没有起到很好的散热效果,主板供电部分一片红,局部温度更高达77.7℃.

空气流通环境下,华硕 A55满载3分钟

  同样是满载3分钟,流通环境下的主板供电部分表现明显改善,颜色明显没有那么红,最高温点为65℃,相比差距达12℃.

流通环境下,华硕 A55带散热片+风扇满载3分钟

  我们在供电部分加一个小风扇,以进一步优化供电部分的空气流动。可见加了小风扇后,主板供电部分的热量得到明显降低,最高温点已经不在主板供电,最高温度在63℃以下。

密闭环境下,华硕A75带散热片满载3分钟

  再看华硕 A75,尽管有8相供电,并且配备热管,但是由于空气不流通,散热表现并不理想,供电部分最高温为65.2℃,周围温度也差不多,比空气流通状况下的6相供电还差。

  测试小结:毫无疑问,热管比小风扇更加华丽,成本也更高,但是从实际应用上来说,热管的主要作用是“导热”而不是“散热”,要获得更好的散热效果,与其大成本地加一条热管,还不如小成本地多给用户留给风扇接口。

6第三问:2倍铜PCB是否有用?回顶部

2倍铜PCB是否有用?

2倍铜PCB是否有用?   技嘉 GA-HA65M-D2H-B3 技嘉 GA-Z68XP-UD3-ISSD 供电相数 6 7 MOSFET管 低抗阻,3MOSFET Driver MOSFET 散热设计 无 无 特殊 “超省钱”设计 “超省钱”设计 + 2倍铜PCB

  “2倍铜”PCB设计最初由技嘉于2008年提出,接下来收到多个厂商仿效,可以说是近年来炒得挺火的一个设计。今年技嘉再次升级,提出“超省钱”设计,强调降低主板供电部分的温度,以提高效率,节省用户开支。相信很多用户都会有一个疑问,“超省钱”设计真的能降温么?2倍铜PCB又是否真的有用?

“超省钱”H61满载3分钟

  “超省钱”H61的供电部分每相都采用了3个低抗阻MOSFET管,散热表现相当不错,在裸奔情况下都没有明显发红,热量分布均匀,最高温度仅60.5℃,让人印象深刻。

“超省钱”H61闲置3分钟

  闲置3分钟后,主板供电部分的热量散发非常快,居然看不到一点红,最多只有微微发黄,温度大约在40℃。

“超省钱”+“2倍铜”,满载表现让人汗颜!

  换上采用“超省钱”和“2倍铜”设计的Z68,满载3分钟居然也没怎么发红,只是略略发红,温度大概在45℃左右,最高温落到了右上角的USB3.0芯片上了。

“2倍铜”Z68闲置3分钟

  如果供电满载的表现只是偶然,那么供电闲置的表现就更是幻觉了,简直连发黄程度的热量都没有,温度大概只有36℃!如果不是右上角的USB3.0保持高温,我们很可能会误以为根本没通电开机。

  测试小结:采用“2倍铜”设计的主板往往要比普通PCB设计的主板贵上百元,但是其散热表现是有目共睹的,夸张点说就是不装散热片裸奔也没关系。

7第四问:三种MOSFET对比效果?回顶部

三种MOSFET对比效果如何?

2倍铜PCB是否有用?   华硕 P8H61-M PRO 微星 Z68MA-ED55 技嘉 HA65M-D2H-B3 供电相数 6 10 6 MOSFET管 普通MOSFET Driver MOSFET 低抗阻MOSFET 散热设计 无 无 无 特殊 无 无 “超省钱”

  前面我们曾经讲过,目前市面主板采用的MOSFET主要有3种,最常见的3pin(2pin)普通MOSFET管,其次是8pin的低抗阻MOSFET管,以及仅在高端主板上现身的一体化Dr.MOSFET.一个大家都可能很感兴趣的问题是,3种MOSFET到底有多大差距?

  实际上这个问题很难回答,因为不同的主板在PCB用料、供电用料、供电相数、布局设计上都可能有不同,再加上各种MOSFET都有不同的型号,不同型号之间的性能差距有大有小,因此我们只能测出一个大概,仅供用户参考。

普通MOSFET满载

  普通MOSFET管一般都价格实惠,但是抗阻较高,常见1上桥1下桥设计的普通MOSFET管,上下桥都有较大发热,容易形成大面积高温。为了降低抗阻,有些主板会采用1上桥2下桥或2上桥1下桥(统称3MOSFET)的设计,说白了就是通过“串联”来降低每个MOSFET的压力,减少发热。

普通MOSFET闲置

  闲置3分钟后,MOSFET管的温度得到了明显改善,从满载近70℃恢复到了50℃左右的水平,降幅约20℃.

Dr.MOS满载

  Dr.MOS整合了MOSFET驱动和上桥下桥,占用空间更少,发热也更加集中,满载3分钟后,Dr.MOS的最高温度达68℃,数值并不比普通MOSFET好看多少,但是从热量分布来看,的确明显比普通MOSFET更好。

 Dr.MOS闲置

  Dr.MOS发热热量集中,因此散热起来也比较好办,闲置3分钟后的Dr.MOS最高温为52.2℃,和普通MOSFET近似,降幅约20℃,但是明显发热的地方更少。

低抗阻MOSFET满载

  电路电流一定,通过电路的电阻越大,发热量越大。低抗阻MOSFET由于抗阻一般都比普通MOSFET低,因此发热量要更小,同时不少主板还会采用3MOSFET设计,这种用料和设计的成本不低,不过散热效果很好,裸奔满载温度也在60.5℃以下。

低抗阻MOSFET闲置 

  由于发热较小,低抗阻MOSFET在闲置时降温也会比较快,温度表现明显比普通MOSFET和Dr.MOSFET更好,降温幅度也大约有20℃.

  测试小结:光从发热量来说,3MOSFET设计的低抗阻MOSFET的表现是最好的。但是从热量分布来说,普通MOSFET和低抗阻MOSFET都容易引起大面积发热,而MOSFET散热片却只能为MOSFET管部分散热 ,因此MOSFET附近的热量容易累积,供电部分温度还是会挺高的。

8PConline评测室总结回顶部

PConline评测室总结:

超多相供电不一定必要

  超多相供电设计下,每相供电的发热要比供电相数少的设计更低,但是由于元件密布,发热量更容易累积,需要搭配更好的散热来降温,总的来说成本很高,而实际不一定有必要。

热管是导热设计,而非散热设计

  热管看起来很威武,但是它的主要作用只是导热,对于散热来说不是必须,只有在空气流通好的情况下,热管才能起到锦上添花的效果。因此,多加一条热管,实际效果可能还不如多加一个小风扇。

2倍铜设计的确有效

  电阻和发热是成正比的,2倍铜设计能优化主板PCB的电气性能,减少发热,同时更好地使热量均匀地分散开来,提高散热效率。

低抗阻MOSFET是不错的选择

  单纯从发热量角度出发,抵抗阻MOSFET,尤其是3MOSFET设计的低抗阻MOSFET,表现是最理想的,而从整体散热优化考虑,Dr.MOS就更胜一筹,但是当然,Dr.MOS价格更高,因此总的来说低抗阻MOSFET是不错的选择。

  好了,我们的文章就到此结束了,由于评测室当前所有的主板数量有限,加上时间也比较紧张,我们不能考虑到、测试出供电用料与散热可能有关的所有问题,如果各位网友有什么意见建议,欢迎在评论中提出!下一次,我们可能还会测一测供电布局设计与散热的关系,敬请期待!



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