wafer晶向问题(二) | 您所在的位置:网站首页 › 严厉家规图片卡通画简单 › wafer晶向问题(二) |
wafer晶体牵涉的基础内容较多,可能讲起来有点冗长,但是知识点还是干货的,凑在一起形成一个系统的理论框架是可以的。 上期说到砷化镓wafer的晶向切割的问题。一个完整的六寸或者8寸等圆片,如何确定切割的晶向呢? 这就要从wafer的老大哥硅片说起。单晶硅片都是一个硅锭生长而成,然后打磨切割,如下图 ![]() 研磨好之后,就需要统一分晶向,做定位边,有个行业规定: ![]() 根据平边的类型,分辨wafer的种类。但是也不是绝对的,一般wafer出厂会有定义。例如对于砷化镓的基板,P型 和N型都是第三种类型的平边。 对于砷化镓激光器如何根据平边切割出晶面? 如下图,我们看出 ![]() ![]() 在垂直晶向上切出出光面, ![]() ![]() 切割砷化镓晶面,就不能采用常规的切穿晶圆的方法了,需要用划片机,先在wafer面上划开一个沟道,然后用劈裂机,施加一个外力,让晶圆自然解离。 ![]() 这样晶圆会顺着本身原子力最弱的一个晶体面解离开。 ![]() 因此如何准确找到解离面的方向是关键,这时就需要用到定位边,定位边本身有固定的晶向和所处的晶面,但是此时是抛出了做定位边时的机械等误差的,有的质量差得,不一定是准确的。那时平边方向可能和正确的晶向存在一个夹角。厂家给的精度一般是±0.05°,但是IC一般都这个精度不敏感,但是激光器比较敏感,就需要重新做晶向定位边。这个可以考虑如何做? ![]() 激光die的图案上都有预留切割道。 |
CopyRight 2018-2019 实验室设备网 版权所有 |