什么是GaN充电器, 以及为什么要一个?

氮化镓 (氮化镓) 到处都有充电器 消费电子展 2020. 这种现代的硅替代品意味着更小, 更高效的充电器和电源砖即将问世. 运作方式如下.

GaN充电器在物理上小于电流充电器. 这是因为氮化镓充电器不需要的组件数量比硅充电器要多. 该材料能够随时间传导比硅高得多的电压.

GaN充电器不仅在传输电流方面更有效, 但这也意味着更少的能量损失在热量上. 所以, 您尝试充电的能量更多. 当组件更有效地将能量传递到设备时, 通常您需要的更少.

现在, GaN半导体的价格通常比硅贵. 然而, 由于效率提高, 减少了对其他材料的依赖, 像散热器, 过滤器, 和电路元件. 一个制造商 估计节省了 10 至 20 这个区域的百分比. 一旦实现大规模生产的经济利益，这将进一步改善.

您甚至可以节省电费，因为更高效的充电器意味着更少的能源浪费. 不要期望功率相对较低的设备发生巨大变化, 像笔记本电脑和智能手机, 虽然.

氮化镓是一种半导体材料，在1990年代通过制造LED成为人们关注的焦点。. GaN用于制造首批白色LED, 蓝色激光, 和全彩LED显示屏，您可以在日光下看到. 在蓝光DVD播放机中, GaN产生蓝光，可从DVD读取数据.

看来GaN很快将在许多领域取代硅. 硅制造商数十年来不懈地努力来改进硅基晶体管. 根据 摩尔定律 (以飞兆半导体的联合创始人和, 后来, 英特尔首席执行官, 戈登·摩尔), 集成硅电路中的晶体管数量每两年翻一番.

这项观察是在 1965, 这在很大程度上适用于最后 50 年份. 在 2010, 虽然, 半导体行业的发展首次低于这个速度. 许多分析师 (和摩尔自己) 预测摩尔定律将过时 2025.

氮化镓晶体管的生产在 2006. 改进的制造工艺意味着GaN晶体管可以在与硅类型相同的设备中制造. 这可以降低成本，并鼓励更多的硅制造商使用GaN生产晶体管。.

与硅相比，GaN的优势归结为功率效率. 作为GaN系统, 专门从事氮化镓的制造商, 解释:

“所有半导体材料都有所谓的带隙. 这是固体中没有电子可以存在的能量范围. 简单的说, 带隙与固体材料的导电性能有关. 氮化镓具有 3.4 eV带隙, 与硅的相比 1.12 eV带隙. 氮化镓的带隙较宽，这意味着它可以承受比硅更高的电压和更高的温度。”

高效电力转换公司, 另一家GaN制造商, 陈述 GaN能够传导电子 1,000 效率比硅高出十倍, 并降低制造成本, 开机.

带隙效率更高意味着电流通过GaN芯片的速度比硅芯片快. 将来可能会导致更快的处理能力. 简单的说, 由GaN制成的芯片将更快, 较小的, 更加节能, 和 (最终) 比硅制的便宜.

大型硬件制造商可能不会在野外看到很多GaN充电器, 像苹果和三星, 开始将它们包括在他们的新计算机和智能手机中.

想一想-您最后一次购买充电器是什么时候? 过去购买时，您家或办公室周围插入了多少个充电器?

如果您决定立即开始享受GaN的充电优势, 您无需支付通常与尖端技术相关的额外费用.