半导体中的△代表什么

二极管的正极为图形符号三角形。三角形旁边的竖线为二极管的负极。

半导体器件：导电性介于良导电体与绝缘体之间，利用半导体材料特殊电特性来完成特定功能的电子器件。

当电流通过各种物体时，不同的物体对电流的通过有着不同的阻止能力，有的物体可使电流顺利通过，也有的物体不让其通过，或者在一定的阻力下让它通过。这种不同的物体通过电流的能力，叫做这种物体的导电性能。各种物体均有着不同的导电性能，凡是导电性能绩好的物体叫做导体。如银、铜、铝、铅、锡、铁、水银、碳和电解液等都是良好导体。反之，导电能力很差的物体叫做绝缘体。还有，有的物体的导电能力比导体差，但比绝缘体强，这种导体叫做半导体。如常用的晶体管原材料硅、锗等。收音机 CPU都是半导体

半导体具有一些特殊性质。如利用半导体的电阻率与温度的关系可制成自动控制用的热敏元件（热敏电阻）；利用它的光敏特性可制成自动控制用的光敏元件，像光电池、光电管和光敏电阻等。

半导体还有一个最重要的性质，如果在纯净的半导体物质中适当地掺入微量杂质测其导电能力将会成百万倍地增加。利用这一特性可制造各种不同用途的半导体器件，如半导体二极管、三极管等。

把一块半导体的一边制成P型区，另一边制成N型区，则在交界处附近形成一个具有特殊性能的薄层，一般称此薄层为PN结。图中上部分为P型半导体和N型半导体界面两边载流子的扩散作用（用黑色箭头表示）。中间部分为PN结的形成过程，示意载流子的扩散作用大于漂移作用（用蓝色箭头表示，红色箭头表示内建电场的方向）。下边部分为PN结的形成。表示扩散作用和漂移作用的动态平衡。

半导体是什么意思

顾名思义：导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料，叫做半导体（semiconductor）．

物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。

半导体的分类，按照其制造技术可以分为：分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类，一般来说这些还会被分成小类。此外还有以应用领域、设计方法等进行分类，最近虽然不常用，单还是按照IC、LSI、VLSI（超大LSI）及其规模进行分类的方法。此外，还有按照其所处理的信号，可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。

[编辑本段]半导体定义

电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。

半导体室温时电阻率约在10E-5～10E7欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。

半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。

锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。

半导体（东北方言）：意指半导体收音机，因收音机中的晶体管由半导体材料制成而得名。

本征半导体

不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。

[编辑本段]半导体特点

半导体三大特性∶搀杂性、热敏性和光敏性。

在形成晶体结构的半导体中，人为地掺入特定的杂质元素，导电性能具有可控性。

在光照和热辐射条件下，其导电性有明显的变化。

晶格：晶体中的原子在空间形成排列整齐的点阵，称为晶格。

共价键结构：相邻的两个原子的一对最外层电子（即价电子）不但各自围绕自身所属的原子核运动，而且出现在相邻原子所属的轨道上，成为共用电子，构成共价键。

自由电子的形成：在常温下，少数的价电子由于热运动获得足够的能量，挣脱共价键的束缚变成为自由电子。

空穴：价电子挣脱共价键的束缚变成为自由电子而留下一个空位置称空穴。

电子电流：在外加电场的作用下，自由电子产生定向移动，形成电子电流。

空穴电流：价电子按一......

LED和半导体分别是什么意思？

英文单词的缩写，主要含义：LED = Light Emitting Diode，发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光；LED = Large Electronic Display，大型电子展示；LED = Lupus erythematosus disseminatus，播散性红斑狼疮，一种慢性、特发性自身免疫病；led是lead的过去式和过去分词，意为“领导，带领”；俄罗斯Pulkovo机场的IATA代码。本词条主要介绍发光二极管。 　LED（Light Emitting Diode），发光二极管，是一种固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的心脏是一个半导体的晶片，晶片的一端附 三丰LED在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空穴占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个“P-N结”。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED发光的原理。而光的波长决定光的颜色，是由形成P-N结材料决定的。 科技名词定义 中文名称：半导体 英文名称：semiconductor 定义：材料的电阻率界于金属与绝缘材料之间的材料。这种材料在某个温度范围内随温度升高而增加电荷载流子的浓度，电阻率下降。 所属学科：机械工程（一级学科）；仪器仪表材料（二级学科）；半导体材料(仪器仪表)（三级学科） 半导体（semiconductor），指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。　半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体 半导体室温时电阻率约在10-5～107欧·米之间，温度升高时电阻率指数则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）。除上述晶态半导体外，还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。 本征半导体 不含杂质且无晶格缺陷的半导体称为本征半导体。在极低温度下，半导体的价带是满带(见能带理论)，受到热激发后，价带中的部分电子会越过禁带进入能量较高的空带，空带中存在电子后成为导带，价带中缺少一个电子后形成一个带正电的空位，称为空穴（图 1 ）。导带中的电子和价带中的空穴合称电子 - 空穴对，均能自由移动，即载流子，它们在外电场作用下产生定向运动而形成宏观电流，分别称为电子导电和空穴导电。这种由于电子-空穴对的产生而形成的混合型导电称为本征导电。导带中的电子会落入空穴，电子-空穴对消失，称为复合。复合时释放出的能量变成电磁辐射（发光）或晶格的热振动能量（发热）。在一定温度下，电子 - 空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡，此时半导体具有一定的载流子密度，从而具有一定的电阻率。温度升高时，将产生更多的电子 - 空穴对，载流子密度增加，电阻率减小。无晶格缺陷的纯净半导体的电阻率较大，实际应用不多。 半导体半导体中杂质 半导体中的杂质对电阻率的影响非常大。半导体中掺入微量杂......

半导体是什么？

你可以网上查

半导体中RF是什么意思

RF即射频（Radio Frequency）的意思，通常缩写为RF。表示可以辐射到空间的电磁频率，频率范围从300KHz～30GHz之间。射频简称RF射频就是射频电流，它是一种高频交流变化电磁波的简称。每秒变化小于1000次的交流电称为低频电流，大于1礌000次的称为高频电流，而射频就是这样一种高频电流。有线电视系统就是采用射频传输方式。

半导体厂里面sg bg分别是什么意思

Form formPreview = new Form()

public Leaf(string name) : base(name) { }

public override void Add(ponent c)

{

Console.WriteLine("Cannot add to a leaf")

}

public override void Remove(ponent c)

{

Console.WriteLine("Cannot remove to a leaf")

}

public override void Display(int depth)

{

Console.WriteLine(new string('-',depth)+name)

}

}

半导体是什么意思啊?

~~~就是导电性能介于导体和绝缘体之间的一类物质，初中的内容~~

半导体中经常说的IP啥意思

网络之间互连的协议（IP）是Internet Protocol的外语缩写，中文缩写为“网协”。在因特网中，它是能使连接到网上的所有计算机网络实现相互通信的一套规则，规定了计算机在因特网上进行通信时应当遵守的规则。任何厂家生产的计算机系统，只要遵守 IP协议就可以与因特网互连互通。IP地址具有唯一性，根据用户性质的不同，可以分为5类。另外，IP还有进入防护，知识产权，指针寄存器等含义。

CT-势垒电容

Cj-结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容

Cjv-偏压结电容

Co-零偏压电容

Cjo-零偏压结电容

Cjo/Cjn-结电容变化

Cs-管壳电容或封装电容

Ct-总电容

CTV-电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比

CTC-电容温度系数

Cvn-标称电容

IF-正向直流电流（正向测试电流）。

锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流

IF（AV）-正向平均电流

IFM（IM）-正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。

IH-恒定电流、维持电流。

Ii-发光二极管起辉电流

IFRM-正向重复峰值电流

IFSM-正向不重复峰值电流（浪涌电流）

Io-整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流

IF(ov)-正向过载电流

IL-光电流或稳流二极管极限电流

ID-暗电流

IB2-单结晶体管中的基极调制电流

IEM-发射极峰值电流

IEB10-双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流

IEB20-双基极单结晶体管中发射极向电流

ICM-最大输出平均电流

IFMP-正向脉冲电流

IP-峰点电流

IV-谷点电流

IGT-晶闸管控制极触发电流

IGD-晶闸管控制极不触发电流

IGFM-控制极正向峰值电流

IR（AV）-反向平均电流

IR（In）-反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电 流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。

IRM-反向峰值电流

IRR-晶闸管反向重复平均电流

IDR-晶闸管断态平均重复电流

IRRM-反向重复峰值电流

IRSM-反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）

Irp-反向恢复电流

Iz-稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流

Izk-稳压管膝点电流

IOM-最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流

IZSM-稳压二极管浪涌电流

IZM-最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流

iF-正向总瞬时电流

iR-反向总瞬时电流

ir-反向恢复电流

Iop-工作电流

Is-稳流二极管稳定电流

f-频率

n-电容变化指数；电容比

Q-优值（品质因素）

δvz-稳压管电压漂移

di/dt-通态电流临界上升率

dv/dt-通态电压临界上升率

PB-承受脉冲烧毁功率

PFT（AV）-正向导通平均耗散功率

PFTM-正向峰值耗散功率

PFT-正向导通总瞬时耗散功率

Pd-耗散功率

PG-门极平均功率

PGM-门极峰值功率

PC-控制极平均功率或集电极耗散功率

Pi-输入功率

PK-最大开关功率

PM-额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率

PMP-最大漏过脉冲功率

PMS-最大承受脉冲功率

Po-输出功率

PR-反向浪涌功率

Ptot-总耗散功率

Pomax-最大输出功率

Psc-连续输出功率

PSM-不重复浪涌功率

PZM-最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率

RF（r）-正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻

RBB-双基极晶体管的基极间电阻

RE-射频电阻

RL-负载电阻

Rs(rs)-串联电阻

Rth-热阻

R(th)ja-结到环境的热阻

Rz(ru)-动态电阻

R(th)jc-结到壳的热阻

rδ-衰减电阻

r(th)-瞬态电阻

Ta-环境温度

Tc-壳温

td-延迟时间

tf-下降时间

tfr-正向恢复时间

tg-电路换向关断时间

tgt-门极控制极开通时间

Tj-结温

Tjm-最高结温

ton-开通时间

toff-关断时间

tr-上升时间

trr-反向恢复时间

ts-存储时间

tstg-温度补偿二极管的贮成温度

a-温度系数

λp-发光峰值波长

△λ-光谱半宽度

η-单结晶体管分压比或效率

VB-反向峰值击穿电压

Vc-整流输入电压

VB2B1-基极间电压

VBE10-发射极与第一基极反向电压

VEB-饱和压降

VFM-最大正向压降（正向峰值电压）

VF-正向压降（正向直流电压）

△VF-正向压降差

VDRM-断态重复峰值电压

VGT-门极触发电压

VGD-门极不触发电压

VGFM-门极正向峰值电压

VGRM-门极反向峰值电压

VF（AV）-正向平均电压

Vo-交流输入电压

VOM-最大输出平均电压

Vop-工作电压

Vn-中心电压

Vp-峰点电压

VR-反向工作电压（反向直流电压）

VRM-反向峰值电压（最高测试电压）

V（BR）-击穿电压

Vth-阀电压（门限电压）

VRRM-反向重复峰值电压（反向浪涌电压）

VRWM-反向工作峰值电压

V v-谷点电压

Vz-稳定电压

△Vz-稳压范围电压增量

Vs-通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压

av-电压温度系数

Vk-膝点电压（稳流二极管）

VL-极限电压

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