Linux MTD下获取Nand flash各个参数的过程的详细解析

意思是，内部芯片有几颗。

有些型号的Nand Flash，为了实现更高的容量，在芯片内部封装了多个芯片。

比如三星的K9WAG08U1A容量是2GB，内部是装了2个单片是1GB的K9K8G08U0A，对应地，里面要包含2个片选CE1和CE2（均是低电平有效），而4GB的K9NBG08U5A包含了4片的K9K8G08U0A。

bit2&bit3表示的是芯片的类型，是SLC还是某种MLC：

这类的MLC的nand flash，由于单个存储单元，要存储更多的数据，所以内部结构更复杂，读取和写入数据的逻辑更复杂，相对数据出错的几率也比SLC要大。

所以，一般MLC的使用，都需要检错和纠错能力更强的硬件或软件算法，以保证数据的正确性。

软件实现此类的多位数据的检错和纠错的效率相对较低，一般是硬件本身就已经提供此功能。

对应的其为硬件ECC，也就是Linux内核MTD中的HW_ECC。

其他关于SLC/MLC的更详细解释，感兴趣的可以去看另一个帖子：【详解】如何编写Linux下Nand Flash驱动

可以对几个页同时编程/写。

此功能简单的说就是，一次性地写多个页的数据到对应的不同的页。

对应支持此操作的，硬件上必须要有多个plane，而每个plane，都有一个自己的页寄存器。

比如K9K8G08U0A有4个plane，分别叫做，plane0，plane1，plane2，plane3。

它们共分成2组，plane0和plane1，plane2和plane3。如图：

图 2.3. Nand Flash中多页编程对应的多个Plane的组织架构

在多页编程时候，只能对某一组中的两个plane操作，不允许类似于plane0和plane2或plane3一起去做多页编程。

以plane0和plane1为例，在实现具体的编程动作之前，将你要写入的2个页的数据，分别写入plane0和plane1中的页寄存器，然后才能发命令，去实现具体的编程操作。

正是因为多页编程需要底层的多plane支持，底层实现的时候，是同时对多个plane编程，所以，也被叫做Multi Plane Program

交错，从字面意思就可以看出，此操作涉及对象就不止一个。

交错编程，就是对多个chip，交错地进行编程，先对一个编程，充分利用第一个编程过程中需要等待的时间，转去操作另一个，以此实现总体效率的提高。

如果支持Interleave Program的话，那么前面的chip number必然大于1。

在开始了一次cache读之后，在你把数据读出去的这段时间，nand flash会自动地把下一页的数据读取出来放到页寄存器。

在你写入数据的时候，对应的内存中的数据，不是直接写到页寄存器中，而是到了cache buffer中

然后再发cache 写的命令，此时，数据才从cache buffer中，转递到页寄存器中，然后把数据一点点编程到nand flash

此时，你可以去利用页编程的时间，去准备下一次的数据，然后依此地写入下一个页。

Cache读或写，是充分利用了读一页数据出来，或者将一页数据写到flash里面去的时间，去准备新的一页的数据，这样就可以实现连续的读或写，大大提高读写效率。