硬件入门之什么是mos管

MOS管是FET的一种（另一种为JFET结型场效应管），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型；又根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。因此，MOS管可以被制构成P沟道增强型、P沟道耗尽型、N沟道增强型、N沟道耗尽型4种类型产品。

三极管和MOS管的区别：

1、工作性质：三极管用电流控制（be之间有持续的电流才能打开三极管‘相当于电阻’），MOS管属于电压控制（gs极之间有导通压差就能打开mos管‘gs之间的寄生电容效应’）。{mos管比三极管更省电}

2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。

3、功耗问题：三极管损耗大，MOS管较小。

4、驱动能力：mos管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。（因为内阻小，损耗小）

左边是mos管，右边是三极管对比图

1.P型和N型选择 2.Vgs电压（开启电压） 3.Id电流（导通电流）；内阻越小，Id电流越大 4.Vgs电压极限电压（防止MOS管击穿） 5.开关特性（受Vgs影响较大，开关过程对寄生电容充放电，产生开关损耗）

一、Vgs之间并联电阻的目的： 1，MOS管在使用时，栅极不能悬空，必须接到一个固定的电位才行，栅极悬空，会造成MOS的损坏和误操作。 2，此电阻在开关周期内起到一个放电电阻的作用。 3，由于MOS的DG极之间存在寄生电容Cgd，在没导通之前，D极的高压可以通过Cgd直接灌到G极，导致MOS的损坏。此电阻起到一个释放的作用。 二、Vgs之间放稳二极压管的目的为了保护MOS管，免于外部静电或其它因素引起的高压造成MOS管损坏。 三、8个MOS管的GS并联，只需要放一颗电阻就可以了，这里没有功率的问题，因此8个10K的电阻并联和1个1.25K的电阻效果是一样的。

比二极管防反接的优点有：损耗小，功率大等等 利用寄生二极管作用。 通过调节R1，R2，的阻值，防止超过Vgs最大耐压值（烧坏mos管），

Vin正常输入电压时，稳压管没有反向击穿，R3，R4电流基本为0。（我的理解是：首先对于D1这个稳压管的钳位电压一定是稍微大于电源正常的工作电压的，我看做是断开的） PNP三极管的Vbe=0，即PNP三极管不导通。 PMOS管Q4的Vgs由电阻R5，R6分压决定，PMOS管导通，即电源正常工作。 当Vin输入大于正常输入电压（过压情况下），此时Vin>Vbr（输入电压大于稳压管D1的击穿电压 ），稳压管被击穿（我理解为导通），其上电压为Vbr（此时为钳位电压）。PNP三极管Q1导通（当电源的过电压可以在三极管的射极和基极产生一个大约0.7v的导通压降的时候），VCE≈0（三极管导通），即PMOS管的Vgs≈0（三极管导通这两极相当于短路），PMOS管不导通，电路断路，即实现了过压保护。

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