MOS管基本驱动电路

MOS管与晶体管的差异： 双极晶体管：要在集电极中产生电流，必须在基极端子和发射极端子之间施加电流。 MOSFET：在栅极端子和源极端子之间施加电压时，MOSFET 在漏极中产生电流。MOSFET 的栅极是一层二氧化硅。由于该栅极与源极隔离，向栅极端子施加直流电压理论上不会在栅极中产生电流（在栅极充电和放电的瞬态产生的电流除外）。

实践中，栅极中会产生几纳安的微弱电流

当栅极端子和源极端子之间无电压时，由于漏源极阻抗极高，因此漏极中除泄漏电流之外无电流。

MOS管特性：

MOS管最基本的驱动电路 如下所示为MOS管最为基本的驱动电路设计，R1为限流电阻，来限制栅极在刚开始时的充电电流大小，电阻的加入会使得MOS开启速度减慢，但是可以减小EMC风险。

R2电阻是放电电阻，一是当系统未加电控制时，该电阻可以泄放积累在栅极的电荷，防止静电击穿；二是当G极驱动为低电平时，泄放G极电荷，使得G极快速的变为0电位。

这种驱动方式在实际中很常见，多见于直接使用控制器来驱动的方式，个人觉得也是最为实用的驱动方式。

驱动逻辑就是高电平驱动开启MOS管；低电平驱动关闭MOS管。

推挽电路驱动，推挽电路驱动主要是在需要外部电源时我们使用的，需要使用两个三极管，请注意必须要NPN和PNP才可以。

高电平时，上管NPN开启，下管PNP关闭；此时MOS管状态为驱动开启； 低电平时，上管NPN关闭，下管PNP开启，此时MOS管状态为驱动关闭。

但是实际需要考虑晶体管完全开启时的Vce电压。

2020-4-16 qwertyuiopasdfghjklzxcvbnm