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MOSFET管驱动设计细节,波形分析
Chapter1 MOSFET管驱动设计细节,波形分析MOSFET驱动芯片的内部结构MOS驱动电路设计需要注意的地方MOS管驱动电路参考MOS管驱动电路的布线设计常见的MOS管驱动波形高频振铃严重的毁容方波又胖又圆的肥猪波打肿脸充正弦的生于方波他们家的三角波大众脸型,人见人爱的方波方方正正的帅哥波
Chapter2 单片机常用的ADC数据滤波算法
Chapter1 MOSFET管驱动设计细节,波形分析
原文链接:https://blog.csdn.net/m0_50862404/article/details/123542038 一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。然而,在MOS的G S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。 对于一个MOS管,如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短,那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似,如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短,那么MOS管关断的速度也就越快。由此我们可以知道,如果想在更短的时间内把GS电压拉高或者拉低,就要给MOS管栅极更大的瞬间驱动电流。 大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后再驱动MOS的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。 比较好的方法是使用专用的MOSFET驱动芯片如TC4420来驱动MOS管,这类的芯片一般有很大的瞬间输出电流,而且还兼容TTL电平输入 MOSFET驱动芯片的内部结构因为驱动线路走线会有寄生电感,而寄生电感和MOS管的结电容会组成一个LC振荡电路,如果直接把驱动芯片的输出端接到MOS管栅极的话,在PWM波的上升下降沿会产生很大的震荡,导致MOS管急剧发热甚至爆炸,一般的解决方法是在栅极串联10欧左右的电阻,降低LC振荡电路的Q值,使震荡迅速衰减掉。 因为MOS管栅极高输入阻抗的特性,一点点静电或者干扰都可能导致MOS管误导通,所以建议在MOS管G S之间并联一个10K的电阻以降低输入阻抗。如果担心附近功率线路上的干扰耦合过来产生瞬间高压击穿MOS管的话,可以在GS之间再并联一个18V左右的TVS瞬态抑制二极管,TVS可以认为是一个反应速度很快的稳压管,其瞬间可以承受的功率高达几百至上千瓦,可以用来吸收瞬间的干扰脉冲。 MOS管驱动电路参考MOS管驱动线路的环路面积要尽可能小,否则可能会引入外来的电磁干扰 驱动芯片的旁路电容要尽量靠近驱动芯片的VCC和GND引脚,否则走线的电感会很大程度上影响芯片的瞬间输出电流。
在上升下降沿震荡严重,这种情况管子一般瞬间死掉。跟上一个情况差不多,进线性区。BOOM!!原因也类似,主要是布线的问题。 上升下降沿极其缓慢,这是因为阻抗不匹配导致的。芯片驱动能力太差或者栅极电阻太大。果断换大电流的驱动芯片,栅极电阻往小调调就OK了。 驱动电路阻抗超大发了,此乃管子必杀波,解决方法同上。 高低电平分明,电平这时候可以叫电平了,因为它平。边沿陡峭,开关速度快,损耗很小。略有震荡,可以接受,管子进不了线性区,强迫症的话可以适当调大栅极电阻。 无振铃无尖峰无线性损耗的三无产品,这就是最完美的波形了。 Chapter2 单片机常用的ADC数据滤波算法原文链接:https://blog.csdn.net/m0_50862404/article/details/125991727#comments_28789536 |
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