三极管bc549c用什么代换 , 三极管BC559 BD193 BC549 用哪些通用管替换要求电压 hFE 功率一样速度在线等

2024-07-10 11:21| 来源: 网络整理| 查看: 265

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BC547参数：硅NPN管，50伏，0.2安，0.5瓦，300兆赫，应该用BC207,BC107,BC171,BC182,和国产管3DG120D代替。

1、bc574的三极管可以用9013的三极管来代替。2、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。晶体三极管，是

BC559用A1015代换；BD193用BU406或2SC647代换；BC549用KT315B、KT315B、或两只C1815并联。使用时要注意因封装的不同导致的极性顺序变化。资料查得很辛苦，不要忘了加分哦。

BC549是N沟道增强型场效应三极管，这里使用场效应管主要是为了提高输入阻抗，功率上没有什么要求。这类型的场效应三极管型号很多都可以代用、国产的型号为3DJ6.等。

三极管bc549c用什么代换

1、C1318的三极管能用2N5551、2N5401、2N3416、C1318、BC487等三极管代替。2、三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，

可以用9014或8050进行代替。9013是一种NPN型小功率三极管（最大耐压25v、最大电流1A、功率400mW）把显示文字平面朝自己，从左向右依次为e发射极 b基极 c集电极。8050和9014也是小功率NPN型三极管，可以进行代替。

可以用2SAl013三极管代替。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集

锗检波二极管在规定的正向电压VF下,通过极间的电流;硅整流管、硅堆在规定的使用条件下,在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流(平均值),硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流;测稳压二极管正向电参数时给定的电流iF---

您好,我想请问一下做个小型D类功放中使用的三极管:Bc549 能用什么三极管或者晶体管代替么?

①、关于以上BC548属于NPN小功率三极管，其参数是//耐压：30V//电流：0.1A//。②、关于以上那BC550属于NPN型小功率三极管，其参数是//耐压：45V//电流：0.1A//。③、向以上的BC548三极管建议最好还是别代换BC550了，

BC547是一款普通的NPN结三极管，其参数为耐压50V、电流0.2A、功率0.5W、频率300MHz，可以用用BC546或2Sc945代换。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件，其作用是把微弱

三极管bc547不能用9014代替，可以用BC546或2SC945代换（管脚位置不同，转个方向就可以了）BC547资料：BC547是个普通的NPN结的三极管。主要参数：Si-NPN，50V，0．2A，0．5W，封装To—92。

BC549资料如下：http://wenku.baidu.com/link?url=Qf8CkNOBuXUOidrTapn2I5ITNahoSoDcBaNk6H1_s2kjP84Y8KKeKhc7fC9QOA4G2HCiEpU1tdtc_3aZFqDQYCz-8z_pFTgaMOoLM7CjvtC

4、TIP122替代 NPN 晶体管 BC547、BC548、BC549、BC636、BC639、2N2369、2N3055、2N3904、2N3906、2SC5200

该管是硅NPN型高频管，30伏0.1安0.625瓦，300兆赫。用3DG120C代替。

bc549三极管参数

该管是硅NPN型高频管，30伏0.1安0.625瓦，300兆赫。用3DG120C代替。

fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率fT---特征频率f---频率h RE---共发射极静态电压反馈系数hFE---共发射极静态电流放大系数hfe---共发射极小信号短路电压放大系数hIE---共发射极静态输入阻抗hie---共发射极

BC559资料如下：http://wenku.baidu.com/link?url=HakFuV_NKOlaCmML8dGB4FlAhf3-W4qJdq1J70oy1xXSg-_1globHPieix38jdZLRa-pmpdOnH7w-bg2yl3KE2Of1fVb7q2K81woKnT1cK_ BC549资料如下：http://wenku.baidu.com

查询,bc559,bc549三极管一般家电界把传统家电分为三类：黑色家电、白色家电、小家电。黑色家电主要包括电视机、录像机、音响、VCD、DVD等,是可提供娱乐的；白色家电则以空调、电冰箱、洗衣机为主；小家电指的是电磁炉、电热水壶、风扇等家电产品。因为早期像电视机、录像机外壳都是黑色的，洗衣机、空调等外壳是白色，所以才有白黑之分。家用电器有以下几种：①制冷电器，包括家用冰箱、冷饮机等。②空调器，包括房间空调器、电扇、换气扇、冷热风器、空气去湿器、冷风机、加湿器等。③清洁电器，包括洗衣机、干衣机、电熨斗、吸尘器、地板打蜡机、扫地机器人等。④厨房电器，包括电灶，微波炉、电磁灶、电烤箱、电饭锅、洗碟机、电热水器、食物加工机等。⑤电暖器具，包括电热毯、电热被、水热毯、电热服、空间加热器。⑥整容保健电器，包括电动剃须刀、电吹风、整发器、超声波洗面器、电动按摩器。⑦声像电器，包括微型投影仪、电视机、收音机、录音机、录像机、摄像机、组合音响等。⑧其他电器，如烟火报警器、电铃等。BC559资料如下： http://wenku.baidu.com/link?url=HakFuV_NKOlaCmML8dGB4FlAhf3-W4qJdq1J70oy1xXSg-_1globHPieix38jdZLRa-pmpdOnH7w-bg2yl3KE2Of1fVb7q2K81woKnT1cK_ BC549资料如下： http://wenku.baidu.com/link?url=Qf8CkNOBuXUOidrTapn2I5ITNahoSoDcBaNk6H1_s2kjP84Y8KKeKhc7fC9QOA4G2HCiEpU1tdtc_3aZFqDQYCz-8z_pFTgaMOoLM7CjvtC该管是硅NPN型高频管，30伏0.1安0.625瓦，300兆赫。用3DG120C代替。该管是硅NPN型高频管，30伏0.1安0.625瓦，300兆赫。用3DG120C代替。三极管的参数解释 λ---光谱半宽度 VF---正向压降差 Vz---稳压范围电压增量 av---电压温度系数 a---温度系数 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 Cib---共基极输入电容 Cic---集电结势垒电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cjo---零偏压结电容 Cjv---偏压结电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 CL---负载电容（外电路参数） Cn---中和电容（外电路参数） Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容 Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT---特征频率 f---频率 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hFE---共发射极静态电流放大系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM---最大输出平均电流 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR---晶闸管断态平均重复电流 ID---暗电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 IEM---发射极峰值电流 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）---正向平均电流 IF(ov)---正向过载电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP---正向脉冲电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 iF---正向总瞬时电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop---工作电流 Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP---峰点电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 Irp---反向恢复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） ir---反向恢复电流 iR---反向总瞬时电流 ISB---二次击穿电流 Is---稳流二极管稳定电流 IV---谷点电流 Izk---稳压管膝点电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 n---电容变化指数；电容比 PB---承受脉冲烧毁功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pc---集电极耗散功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd---耗散功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 PGM---门极峰值功率 PG---门极平均功率 Pi---输入功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 Pn---噪声功率 Pomax---最大输出功率 Posc---振荡功率 Po---输出功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Ptot---总耗散功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 Q---优值（品质因素） r δ---衰减电阻 R(th)ja----结到环境的热阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r(th)---瞬态电阻 rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻） RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RE---射频电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RG---信号源内阻 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL---负载电阻 RL---负载电阻（外电路参数） roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth---热阻 Rth----热阻 Rz(ru)---动态电阻 Ta---环境温度 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tc---壳温 td---延迟时间 td----延迟时间 tfr---正向恢复时间 tf---下降时间 tf---下降时间 tgt---门极控制极开通时间 tg---电路换向关断时间 Tjm---最大允许结温 Tjm---最高结温 Tj---结温 toff---关断时间 toff---关断时间 ton---开通时间 ton---开通时间 trr---反向恢复时间 tr---上升时间 tr---上升时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 Tstg---贮存温度 ts---存储时间 ts---存贮时间 Ts---结温 V n---噪声电压 V v---谷点电压 V（BR）---击穿电压 VAGC---正向自动增益控制电压 VB2B1---基极间电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VBE10---发射极与第一基极反向电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VB---反向峰值击穿电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCB---集电极-基极（直流）电压 Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 Vc---整流输入电压 VDRM---断态重复峰值电压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEB---饱和压降 VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（AV）---正向平均电压 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VGT---门极触发电压 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 Vn---中心电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vo---交流输入电压 Vp---穿通电压。 Vp---峰点电压 VRM---反向峰值电压（最高测试电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VSB---二次击穿电压 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth---阀电压（门限电压） Vz---稳定电压 δvz---稳压管电压漂移 η---单结晶体管分压比或效率 λp---发光峰值波长三极管的参数解释 λ---光谱半宽度 VF---正向压降差 Vz---稳压范围电压增量 av---电压温度系数 a---温度系数 BV cer---基极与发射极串接一电阻，CE结击穿电压 BVcbo---发射极开路，集电极与基极间击穿电压 BVceo---基极开路，CE结击穿电压 BVces---基极与发射极短路CE结击穿电压 BVebo--- 集电极开路EB结击穿电压 Cib---共基极输入电容 Cic---集电结势垒电容 Cieo---共发射极开路输入电容 Cies---共发射极短路输入电容 Cie---共发射极输入电容 Cjo/Cjn---结电容变化 Cjo---零偏压结电容 Cjv---偏压结电容 Cj---结（极间）电容，表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容 CL---负载电容（外电路参数） Cn---中和电容（外电路参数） Cob---共基极输出电容。在基极电路中，集电极与基极间输出电容 Coeo---共发射极开路输出电容 Coe---共发射极输出电容 Co---零偏压电容 Co---输出电容 Cp---并联电容（外电路参数） Cre---共发射极反馈电容 Cs---管壳电容或封装电容 CTC---电容温度系数 CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比 Ct---总电容 Cvn---标称电容 di/dt---通态电流临界上升率 dv/dt---通态电压临界上升率 D---占空比 ESB---二次击穿能量 fmax---最高振荡频率。当三极管功率增益等于1时的工作频率 fT---特征频率 f---频率 h RE---共发射极静态电压反馈系数 hFE---共发射极静态电流放大系数 hfe---共发射极小信号短路电压放大系数 hIE---共发射极静态输入阻抗 hie---共发射极小信号短路输入阻抗 hOE---共发射极静态输出电导 hoe---共发射极小信号开路输出导纳 hre---共发射极小信号开路电压反馈系数 IAGC---正向自动控制电流 IB2---单结晶体管中的基极调制电流 IBM---在集电极允许耗散功率的范围内，能连续地通过基极的直流电流的最大值，或交流电流的最大平均值 IB---基极直流电流或交流电流的平均值 Icbo---基极接地，发射极对地开路，在规定的VCB反向电压条件下的集电极与基极之间的反向截止电流 Iceo---发射极接地，基极对地开路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icer---基极与发射极间串联电阻R，集电极与发射极间的电压VCE为规定值时，集电极与发射极之间的反向截止电流 Ices---发射极接地，基极对地短路，在规定的反向电压VCE条件下，集电极与发射极之间的反向截止电流 Icex---发射极接地，基极与发射极间加指定偏压，在规定的反向偏压VCE下，集电极与发射极之间的反向截止电流 ICMP---集电极最大允许脉冲电流 ICM---集电极最大允许电流或交流电流的最大平均值。 ICM---最大输出平均电流 Ic---集电极直流电流或交流电流的平均值 IDR---晶闸管断态平均重复电流 ID---暗电流 IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流 Iebo---基极接地，集电极对地开路，在规定的反向电压VEB条件下，发射极与基极之间的反向截止电流 IEM---发射极峰值电流 IE---发射极直流电流或交流电流的平均值 IF（AV）---正向平均电流 IF(ov)---正向过载电流 IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IFMP---正向脉冲电流 IFRM---正向重复峰值电流 IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流） IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 iF---正向总瞬时电流 IGD---晶闸管控制极不触发电流 IGFM---控制极正向峰值电流 IGT---晶闸管控制极触发电流 IH---恒定电流、维持电流。 Ii--- 发光二极管起辉电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流 IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 Iop---工作电流 Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IP---峰点电流 IR（AV）---反向平均电流 IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM---反向峰值电流 Irp---反向恢复电流 IRRM---反向重复峰值电流 IRR---晶闸管反向重复平均电流 IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） ir---反向恢复电流 iR---反向总瞬时电流 ISB---二次击穿电流 Is---稳流二极管稳定电流 IV---谷点电流 Izk---稳压管膝点电流 IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 IZSM---稳压二极管浪涌电流 Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 n---电容变化指数；电容比 PB---承受脉冲烧毁功率 PCM---集电极最大允许耗散功率 Pc---集电极耗散功率 PC---控制极平均功率或集电极耗散功率 Pd---耗散功率 PFT（AV）---正向导通平均耗散功率 PFTM---正向峰值耗散功率 PFT---正向导通总瞬时耗散功率 PGM---门极峰值功率 PG---门极平均功率 Pi---输入功率 Pi---输入功率 PK---最大开关功率 PMP---最大漏过脉冲功率 PMS---最大承受脉冲功率 PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率 Pn---噪声功率 Pomax---最大输出功率 Posc---振荡功率 Po---输出功率 Po---输出功率 PR---反向浪涌功率 Psc---连续输出功率 PSM---不重复浪涌功率 Ptot---总耗散功率 Ptot---总耗散功率 PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 Q---优值（品质因素） r δ---衰减电阻 R(th)ja----结到环境的热阻 R(th)jc---结到壳的热阻 r(th)---瞬态电阻 rbb分钟Cc---基极-集电极时间常数，即基极扩展电阻与集电结电容量的乘积 rbb分钟---基区扩展电阻（基区本征电阻） RBB---双基极晶体管的基极间电阻 RBE---外接基极-发射极间电阻（外电路参数） RB---外接基极电阻（外电路参数） Rc ---外接集电极电阻（外电路参数） RE---射频电阻 RE---外接发射极电阻（外电路参数） RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻 RG---信号源内阻 rie---发射极接地，交流输出短路时的输入电阻 RL---负载电阻 RL---负载电阻（外电路参数） roe---发射极接地，在规定VCE、Ic或IE、频率条件下测定的交流输入短路时的输出电阻 Rs(rs)----串联电阻 Rth---热阻 Rth----热阻 Rz(ru)---动态电阻 Ta---环境温度 Ta---环境温度 Tc---管壳温度 Tc---壳温 td---延迟时间 td----延迟时间 tfr---正向恢复时间 tf---下降时间 tf---下降时间 tgt---门极控制极开通时间 tg---电路换向关断时间 Tjm---最大允许结温 Tjm---最高结温 Tj---结温 toff---关断时间 toff---关断时间 ton---开通时间 ton---开通时间 trr---反向恢复时间 tr---上升时间 tr---上升时间 tstg---温度补偿二极管的贮成温度 Tstg---贮存温度 ts---存储时间 ts---存贮时间 Ts---结温 V n---噪声电压 V v---谷点电压 V（BR）---击穿电压 VAGC---正向自动增益控制电压 VB2B1---基极间电压 VBB---基极（直流）电源电压（外电路参数） VBE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下，基极-发射极饱和压降（前向压降） VBE10---发射极与第一基极反向电压 VBE---基极发射极（直流）电压 VB---反向峰值击穿电压 VCBO---基极接地，发射极对地开路，集电极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VCB---集电极-基极（直流）电压 Vcc---集电极（直流）电源电压（外电路参数） VCE(sat)---发射极接地，规定Ic、IB条件下的集电极-发射极间饱和压降 VCEO---发射极接地，基极对地开路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCER---发射极接地，基极与发射极间串接电阻R，集电极与发射极间在指定条件下的最高耐压 VCES---发射极接地，基极对地短路，集电极与发射极之间在指定条件下的最高耐压 VCEX---发射极接地，基极与发射极之间加规定的偏压，集电极与发射极之间在规定条件下的最高耐压 VCE---集电极-发射极（直流）电压 Vc---整流输入电压 VDRM---断态重复峰值电压 VEBO---基极接地，集电极对地开路，发射极与基极之间在指定条件下的最高耐压 VEB---饱和压降 VEE---发射极（直流）电源电压（外电路参数） VF（AV）---正向平均电压 VFM---最大正向压降（正向峰值电压） VF---正向压降（正向直流电压） VGD---门极不触发电压 VGFM---门极正向峰值电压 VGRM---门极反向峰值电压 VGT---门极触发电压 Vk---膝点电压（稳流二极管） VL ---极限电压 Vn(p-p)---输入端等效噪声电压峰值 Vn---中心电压 VOM---最大输出平均电压 Vop---工作电压 Vo---交流输入电压 Vp---穿通电压。 Vp---峰点电压 VRM---反向峰值电压（最高测试电压） VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压） VRWM---反向工作峰值电压 VR---反向工作电压（反向直流电压） VSB---二次击穿电压 Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压 Vth---阀电压（门限电压） Vz---稳定电压 δvz---稳压管电压漂移 η---单结晶体管分压比或效率 λp---发光峰值波长C3866即2SC3866，参数　：NPN、 900V 、3A 、40W。可用2SC2979、 2SC3178 、2SC3559或者 2SC3979 来代换。想要选择其他型号的三极管来替换C3866，首先需要确定C3866的各项参数，这一点可以通过查找其datasheet得到。然后根据其具体参数，查找同系列产品的datasheet，只要参数在允许范围内的，就都可以替换。

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