IGBT重要技术指标

内部是3个150A芯片并联，所以标称为450A。可以用以下公式估算：

Tjmax-Tc=Vcesat*Icnom*RthJC。

Vcesat是Icnom的函数，

对上图函数，采用线性近似可得Vcesat=(Icnom+450)/375。（需要公式推导，可以提出）Tjmax=175℃，Tc=100℃，Rthjc=0.06K/W, 计算得到：Icnom=495.5A（以上参数来源IGBT规格书）。

上面的计算公式可用用于评估各个厂家实际有效电流值，确保IGBT选型符合要求。

2.脉冲电流（Icrm 和 Irbsoa)

Icrm是可重复的开通脉冲电流（1ms 仅是测试条件，实际值取决于散热情况）

Irbsoa是IGBT可以关断的最大电流

所有模块的Icrm和Irbsoa都是2倍额定电流值。

上图红色框内注意，模块(IGBT)和芯片关断电压是有差别，模块考虑寄生电感在大电流关断带来的暂态电压，图中预留100V，芯片内部关断没有考虑寄生电感引起尖峰电压。

3.短路电流Isc

短路条件：t

IGBT的温度参数与IF的关系：

Tc=Tjmax-(VFmax*IF*Rthjc), 续流二极管允许的最大环境温度。

5.续流二极管（FWD)脉冲电流（Ifrm)

类似于Icrm，2倍IF。