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DDR，LPDDR，EMMC，EMCP比较
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DDR，LPDDR，EMMC，EMCP比较
DDR(Double Data Rate双倍速率)LPDDR(Low Power Double Data Rate)EMMCEMCPRK3399_FIREFLY
DDR(Double Data Rate双倍速率)
DDR SDRAM StandardBus clock (MHz)Internal rate (MHz)Prefetch (min burst)VoltageDIMM pinsSO-DIMMpinsMicroDIMM pinsDDR100–200100–200 2n200–4002.5/2.6184200172DDR2200–533100–266 4n400–10661.8240200214DDR3400–1066100–266 8n800–24001.5240204214DDR4800–1200200–30016n1600–50671.2288260
LPDDR(Low Power Double Data Rate)
LP-DDR11E22E33E44X5Memory array Clock(Mhz)200266.7200266.7200266.7200266.7?Prefetch size2n2n4n4n8n8n16n16n16nI/O bus clock frequency(Mhz)200266.7400533.38001067160021333200Data transfer rate(DDR)(MT/s)400533.3800106716002133320042676400Supply voltage(s)1.8V1.8V1.2V 1.8V1.2V 1.8V1.2V 1.8V1.2V 1.8V1.1V 1.8V0.6V 1.1V 1.8V0.5V 1.05V 1.8VCommand/Address bus19bit,SDR10bit DDR10bit DDR10bit DDR10bit DDR6bit SDR6bit SDR6bit SDR?
由于输入/输出接口数据传输速度最高可达3200Mbps，是通常使用的DDR3 DRAM的两倍，新推出的8Gb LPDDR4内存可以支持超高清影像的拍摄和播放,并能持续拍摄2000万像素的高清照片。 与LPDDR3内存芯片相比，LPDDR4的运行电压降为1.1伏，堪称适用于大屏幕智能手机和平板电脑、高性能网络系统的最低功耗存储解决方案。以2GB内存封装为例，比起基于4Gb LPDDR3芯片的2GB内存封装，基于8Gb LPDDR4芯片的2GB内存封装因运行电压的降低和处理速度的提升，最大可节省40%的耗电量。同时，新产品的输入/输出信号传输采用三星独有的低电压摆幅终端逻辑(LVSTL, Low Voltage Swing Terminated Logic)，不仅进一步降低了LPDDR4芯片的耗电量，并使芯片能在低电压下进行高频率运转，实现了电源使用效率的最优化。 由上表格可以看到 LPDDR 相比 DDR 速度更快 功耗更低 但是缺点是 由于电压低没法离cpu太远 走线上比较要求。 EMMC由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC（多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器。所有都在一个小型的BGA 封装。接口速度高达每秒400MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能。同时其接口电压可以是1.8V或者是3.3V。 Write(MB/s)Read(MB/s)USF150350eMMC5.1125250eMMC5.090250eMMC4.550140 EMCP
参考Google and 百度 |
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