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【BCP51,115】产品参数介绍、BCP51,115数据手册、中英文PDF资料下载
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数据：
BCP51;BCX51;BC51PA_Nexperia.pdf 
晶体管类型 ：
PNP 集射极击穿电压Vce(Max) ：
45V DC电流增益(hFE)(Min&Range) ：
63~250 集电极电流 Ic ：
1A Vce饱和压降(Max) ：
500mV 功率耗散 ：
1.35W 跃迁频率 ：
145MHz 工作温度 ：
+150℃ 安装类型 ：
SMT 封装/外壳 ：
SOT223 配置 ：
单路 集电极-发射极电压 VCEO ：
45V 发射极与基极之间电压 VEBO ：
5V 集电极与基极之间电压 VCBO ：
45V 高度 ：
1.80mm 长x宽/尺寸 ：
6.50 x 3.50mm 存储温度 ：
-65℃~+150℃ 印字代码 ：
BCP51 原产国家 ：
America 原始制造商 ：
Nexperia Semiconductor Co., Ltd. 是否无铅 ：
Yes 零件状态 ：
Active
通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=45V hfe=63~250 P=1.35W SOT223
BCP51,115由Nexperia设计生产。BCP51,115封装/规格：晶体管类型/PNP：集射极击穿电压Vce(Max)/45V：DC电流增益(hFE)(Min&Range)/63~250：集电极电流 Ic/1A：Vce饱和压降(Max)/500mV：功率耗散/1.35W：跃迁频率/145MHz：工作温度/+150℃：安装类型/SMT：封装/外壳/SOT223：配置/单路：集电极-发射极电压 VCEO/45V：发射极与基极之间电压 VEBO/5V：集电极与基极之间电压 VCBO/45V：高度/1.80mm：长x宽/尺寸/6.50 x 3.50mm：存储温度/-65℃~+150℃：印字代码/BCP51：原产国家/America：原始制造商/Nexperia Semiconductor Co., Ltd.：是否无铅/Yes：零件状态/Active：，通用三极管 PNP Ic=1A Vceo=45V hfe=63~250 P=1.35W SOT223。你可以下载BCP51,115中文资料、引脚图、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有通用三极管详细引脚图及功能的应用电路图电压和使用方法及教程
技术文档
数据手册（1）
BCP51;BCX51;BC51PA_Nexperia.pdf 
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