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从耦合微带线到近、远端串扰

2024-07-14 15:06| 来源: 网络整理| 查看: 265

文章目录 前言一、怎么理解奇模阻抗和偶模阻抗?二、S参数矩阵的求解==1、利用对称性==。==2、利用奇偶模理论====3、根据ABCD矩阵和S参数矩阵的关系:== 三、分析过程复盘四、S矩阵物理意义

前言

最开始写这篇文章的时候,只是很激动的发现了完全可以通过网络和传输线理论推导出网络的S参数矩阵,而且具有普适性。

后面写着写着发现,耦合微带线的结论可以关联上信号完整性的近、远端串扰的理论分析。我又去翻看了信号完整性的书,发现其理论分析是建立在互感和互容的基础上,是将电磁场的分布以电感和电容为模型进行了抽象。那什么叫电感和电容?在我的理解,是工程师们为了电磁场分析方便进行的电路化。也就是说电压和电流满足一定的关系叫电感、或者电容。至此,我们不在关心其局部空间的电场如何分布、磁场如何分布。所有的电参量就变成了电压、和电流。

同样的,为什么在基尔霍夫电流电压定律的基础上,又延伸出了传输线理论呢?我们都知道,低频线路分析用基尔霍夫电压定律,高频分析要考虑分布参数,要用到传输线理论。这些都是工程师将复杂电磁场求解转换成电路求解的模型简化。

一、怎么理解奇模阻抗和偶模阻抗?

在这里插入图片描述 两根线靠的很近的耦合微带线,线与线之间的耦合会影响单个端口看进去的阻抗。为什么阻抗会变呢?是因为场分布变了。从电磁场理论来讲,只有场分布才是最本质的东西,而电流、电压是场分布的积分形式。那么电路中阻抗的定义来自于电流和电压。所以阻抗归根究底来自于场。只要场分布变了,那么从电路来讲的阻抗就变了。

为什么奇模阻抗和偶模阻抗不一样?因为奇模激励和偶模激励的场分布是不一样的。所以很容易理解,阻抗也就变了。

奇模阻抗Z0o:当port1和port3加载奇模激励,port2和port4加载奇模激励时,某端口的入射电压波和电流波的阻抗关系。此时可认为对称面的电位为0,且电场方向垂直于该对称面,可认为在对称面的位置加了电壁(电场垂直于边界面,比如理想导体)的单根传输线的阻抗。

比如:普通微带线的阻抗是Z0,而加了电壁后,场分布变了,阻抗变成了Z0’。因为加了电壁,另一根传输线存在与否也无关紧要了,因为它不改变场分布。

偶模阻抗Z0e:同样的,当port1和port3加载偶模激励,port2和port4加载偶模激励时,此时对称面的磁场分布垂直于对称面。可认为加了磁壁(理想磁导体),仍然可以将对称面的另一导体拿掉。

加电壁和磁壁的作用是去耦(去掉耦合线之间的相互影响),而奇偶模的本质也是去耦。妙啊!

特性阻抗: 当我们只在一个端口加激励,其余端口端接匹配阻抗,此时入射电压波和电流波的比值叫做耦合线的特性阻抗Z0。为了不产生反射,在其余端口端接匹配阻抗ZL=50Ω,要求Z0=ZL,这个特性阻抗与奇模阻抗和偶模阻抗存在什么关系,才能保证端口没有反射呢?

微波工程一书已经推导得到了(下面我们从网络的角度也会得到这个关系式的): 在这里插入图片描述

二、S参数矩阵的求解

如果一个网络具有物理对称性,那么采用奇偶模理论分析后,知道了奇模和偶模的S参数矩阵,就可以求解出该网络的S参数矩阵。下面对这一过程进行分析。

四端口的S参数矩阵如下:

在这里插入图片描述

1、利用对称性。

port1和port3等价;port2和port4等价;有:

S11=S33;S22=S44;S12=S21=S34=S43;S13=S31;S24=S42;S14=S41=S32=S23

那么矩阵变成: 在这里插入图片描述

2、利用奇偶模理论

偶模激励: 在这里插入图片描述

奇模激励:

在这里插入图片描述 符号改写:Se=SA+SB, So=SA-SB

在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 奇模的特性阻抗Z0o,偶模的特性阻抗Z0e。

奇模激励时,传输线的阻抗是奇模阻抗,ABCD矩阵可以写成: 在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 偶模激励时,传输线的阻抗是偶模阻抗,ABCD矩阵可以写成: 在这里插入图片描述 在这里插入图片描述

3、根据ABCD矩阵和S参数矩阵的关系:

在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 由此得到So和Se 在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 那么: 在这里插入图片描述 对于端口匹配的条件S11=0,有: 在这里插入图片描述 同样的,S21计算过程如下,将Z02=Z0O Z0e带入下式化简: 在这里插入图片描述

在这里插入图片描述 定义耦合系数C: 在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 有: 在这里插入图片描述 同样的S31也可以同样推导出来。过程如下(不愿意看公式推导的同学直接跳过)

在这里插入图片描述 同理可得S14=0

耦合微带线的S参数矩阵为: 在这里插入图片描述

当βl=π/2时,S参数矩阵化简为: 在这里插入图片描述 这就是耦合微带线的S参数矩阵的推导,完全从传输线理论+网络理论进行的推导。与微波工程的结果完全一样。

三、分析过程复盘

第一步:从物理上抽象的理解了什么是奇模阻抗&偶模阻抗

第二步:从奇偶模理论分析得到了对称物理结构的S参数矩阵的特点,并与奇模矩阵和偶模矩阵之间的关系;

第三步:从传输线的角度,得到奇模矩阵和偶模矩阵的ABCD矩阵;

第四步:通过网络之间的转换关系(注意是与阻抗有关的)得到奇模矩阵和偶模矩阵的S矩阵;

第五步:最终得到对称物理结构的S参数矩阵

四、S矩阵物理意义

1、port3与port1信号完全同相,port3与port2端口相位相差90°;

2、port4是隔离端。如果网络理想对称,且端口理想匹配,那么port1与port4之间的隔离度为∞。

!!!然后我突然想到,耦合微带线与PCB的多根拉线的并行走线不是很类似吗?

在这里插入图片描述 也就是说,理论上线与线之间只应该产生近端串扰,而没有远端串扰?

想到这里,我很激动的去看了关于信号完整性的书。结果显示:表层信号走线有很大的远端串扰,而内层走线的远端串扰为0。所以这是为什么呢?

原因就是相速度!

表层走线为微带线,它传导的并不是TEM波,而是quasi-TEM波(也是由场分布来决定的),所以其奇模和偶模的相速度不同,也就是传输常数β不同,奇、偶模波形在传输过程中会逐渐分开,在远端两个分量不能被完全抵消;内层走线是严格的TEM波,故奇模和偶模的相速度相同,也就没有远端串扰了。

在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 在这里插入图片描述 1、远端串扰的饱和长度与奇模传播速度vo和偶模传播速度ve的差值有关,而这个差值很小,所以要很长的走线才能使共模分量和奇模分量的延时差等于Tr。所以远端串扰的饱和长度很长,远大于近端串扰的饱和长度。

2、线间距W对vo和ve的差有影响,所以也会影响饱和长度,W↑, vo- ve↓,饱和长度也越长。

3、Tr↓,共模分量和奇模分量的延时差更容易达到这个值,更容易饱和;

4、表层的远端的串扰增加的很快,噪声幅度很大,所以尽量不要在表层走很长的平行线。



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