PIC18F26K40 芯片Flash读写函数

2023-08-16 21:36| 来源: 网络整理| 查看: 265

芯片平台：PIC18F26K40

软件版本：MPLAB X IDE v5.20

在使用MPLAB X编译器的过程中，使用自带的MCC代码生成工具，加入memory模块生成的flash读写接口，对单个地址读写时没有问题，但是在进行连续区域地址读写时，就会出现数据读写异常的情况，比如要进行bootloader程序的设计，使用memory的flash读写函数就会出现问题。经过一番摸索，发现使用MCC代码生成工具里面的bootloader模块，里面的flash读写接口是可以正常使用的，为了便于使用，对这个flash读写接口进行了修改，代码如下：

/** Section: Macro Declarations */ #define WRITE_FLASH_BLOCKSIZE 32 #define ERASE_FLASH_BLOCKSIZE 32 #define END_FLASH 0x010000 // ***************************************************************************** #include "flash.h" // To be device independent, these are set by mcc in memory.h #define LAST_WORD_MASK (WRITE_FLASH_BLOCKSIZE - 1) // Force variables into Unbanked for 1-cycle accessibility uint8_t EE_Key_1 __at(0x0); uint8_t EE_Key_2 __at(0x1); void StartWrite(); // ***************************************************************************** // Read Flash // ***************************************************************************** uint8_t Read_Flash(uint32_t flashAddr, uint8_t *data, uint16_t data_len) { if (data == NULL) return 0; TBLPTRU = (uint8_t)((flashAddr & 0x00FF0000) >> 16); TBLPTRH = (uint8_t)((flashAddr & 0x0000FF00)>> 8); TBLPTRL = (uint8_t)(flashAddr & 0x000000FF); NVMCON1 = 0x80; for (uint16_t i = 0; i < data_len; i ++) { asm("TBLRD *+"); data[i] = TABLAT; } return (data_len); } // ***************************************************************************** // Write Flash // data_len > 16); TBLPTRH = (uint8_t)((flashAddr & 0x0000FF00)>> 8); TBLPTRL = (uint8_t)(flashAddr & 0x000000FF); NVMCON1 = 0xA4; // Setup writes for (uint16_t i = 0; i < data_len; i ++) { TABLAT = data[i]; if (TBLPTR >= END_FLASH) { return (0); } asm("TBLWT *+"); if (((TBLPTRL & LAST_WORD_MASK) == 0x00) || (i == data_len - 1)) { asm("TBLRD *-"); StartWrite(); asm("TBLRD *+"); } } EE_Key_1 = 0x00; // erase EE Keys EE_Key_2 = 0x00; INTCONbits.GIE = GIEBitValue; // Restore interrupt enable return (1); } // ***************************************************************************** // Erase Program Memory // Erases data_length rows from program memory // ***************************************************************************** uint8_t Erase_Flash (uint32_t flashAddr, uint16_t data_len) { uint8_t GIEBitValue = INTCONbits.GIE; // Save interrupt enable INTCONbits.GIE = 0; // Disable interrupts EE_Key_1 = 0x55; // write EE Keys EE_Key_2 = 0xAA; TBLPTRU = (uint8_t)((flashAddr & 0x00FF0000) >> 16); TBLPTRH = (uint8_t)((flashAddr & 0x0000FF00)>> 8); TBLPTRL = (uint8_t)(flashAddr & 0x000000FF); for (uint16_t i=0; i < data_len; i++) { if (TBLPTR >= END_FLASH) { return (0); } NVMCON1 = 0x94; // Setup writes StartWrite(); TBLPTR += ERASE_FLASH_BLOCKSIZE; } EE_Key_1 = 0x00; // erase EE Keys EE_Key_2 = 0x00; INTCONbits.GIE = GIEBitValue; // Restore interrupt enable return (1); } // ***************************************************************************** // Unlock and start the write or erase sequence. // ***************************************************************************** void StartWrite() { __asm ("banksel NVMCON2"); __asm ("movf _EE_Key_1, w, c"); __asm ("movwf NVMCON2, b"); __asm ("movf _EE_Key_2, w, c"); __asm ("movwf NVMCON2, b"); __asm ("bsf NVMCON1,1"); // Start the write NOP(); NOP(); return; }

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