IC工艺库中常见器件名称缩写含义

晶体管：mosfet  

电容：moscap

电阻：resistor

三极管：bipolar

二极管：diode

电容：mom

Vsin标准正弦波

Vdc直流或者交流（DC/AC）

例如TSMC65nm工艺库中：

nch_33_dnw_mac： 3.3V nominal VT NMOS in DNW transistor其中VT是阈值电压，NMOS是n型金属氧化物半导体场效应晶体管，DNW是双重掺杂的n型沟道MOS晶体管。

其他：

nch：NMOS

25：2.5V IO

DNW：With DNW

OD：Overdrive

UD：underdrive

33/18：3.3V/1.8V IO

LVT：Low VT device

na：native device

说明：例如1.8V标准器件，OD，则可以支持更高电压，比如18od2.5，支持2.5V高压，这种器件的tox更厚，UD与之相反。

hvt： high threshhold voltage

lvg:：low threshhold voltage

这两者会各自多一层mask以改变参杂，实现vth的调整，同时会引起一些管子特性的改变例如mismatch等。mlvt不清楚，应该差不多。

dnw就是deep nwell

25od33是2.5V管子的tox,overdrive到3.3V， ud18就是underdrive到1.8V。

带mac的是含有寄生参数的器件，macx为二端带寄生参数器件

design rule位置：正常PDK里包含所有的tech file，名字里包含DR的那份PDF就是design rule.

解释DNW：深N阱（DNW）可以理解为在P-sub上面隔离出来的一块独立区域，里边可以做需要的device，有与外界隔离的作用。于一般的PMOS而言，可以通过放在不同的Nwell里面来相互隔离；而对NMOS而言，它们的well（P-sub）会通过wafer的p-sub short在一起（因为都是P型），相互串扰，互相影响。DNW里边的P-sub与外界的P-sub是隔离的，因此能削弱相互之间的影响。因为这个阱比一般的N well要深很多，所以称为deep N well。除了电位上的隔离，比如说有好几种地电位（0V、-3.3V、-6V等），一般会把害怕被别的模块影响（reference电路、temperature sensor等）或者怕会去影响别的模块的IP（PLL、OSC等）放在DNW里面。DNW是在Nwell下面还有一层N-注入，主要作用是做隔离，在隔离DNW里面MOS，一般射频和对噪声比较敏感的芯片会采用深井工艺。